Electrical properties of n-Cdse -Si-p junction prepared by chemical bath deposition technique, from different weights of sodium Selenosulfate and constant molarity

العناوين الأخرى

الخصائص الكهربائية لوصلة N-Cdse- Si-P محضرة بتقنية الترسيب في الحمام الكيميائي، من أوزان مختلفة لسيلينوسلفات الصوديوم بمولارية ثابتة

المؤلفون المشاركون

al-Taan, Layth Muhammad
Abd al-Khaliq, Sarah Yahya

المصدر

Rafidain Journal of Science

العدد

المجلد 31، العدد 2 (30 يونيو/حزيران 2022)، ص ص. 34-39، 6ص.

الناشر

جامعة الموصل كلية العلوم

تاريخ النشر

2022-06-30

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

6

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الموضوعات

الملخص AR

تم تصنيع وصلة pn بنجاح من ترسيب أغشية رقيقة CdSe من النوع n على ركيزة Si من نوع p.

باستخدام تقنية ترسيب بالحمام الكيميائي (CBD) عند 70 درجة مئوية.

وكان وقت الترسيب 6 ساعات، حيث يتم تغيير محلول التحضير كل ساعتين أثناء الترسيب.

استخدم سيلينوسلفات الصوديوم (بأوزان مختلفة وبمولارية ثابتة) كمصدر لأيوناتSe-2، ونترات الكادميوم كمصدر لايوناتCd+2.

أظهرت خصائص (التيار–فولتية) للوصلة المحضرة n-CdSe / p-Si أنه يتصرف كثنائي زينر عند الانحياز عكسي للفولتية المسلطة، مع مقاومة زينر بقيمة ohm (and 27×103 3) لكل حالة.

فيما أظهرت نتائج SEM وجود جزيئات كروية الشكل ومنها متجمعة معا ككتل دقيقة ونانوية وذات أحجام حبيبات مختلفة nm (3.8 و19.8).

الملخص EN

pn-junction was successfully fabricated by depositing n-type CdSe thin films on p-type Si as a substrate using chemical bath deposition technique (CBD) at 70o C.

Time of deposition was 6 hours and the preparing solution was changed every 2 hours during the deposition.

Sodium Selenosulfate (with different weights) is the source of Se-2 ions, cadmium nitrate is the source of Cd+2 ions.

the (I-V) characteristics for the n-CdSe / p-Si junction show it behaves as a Zener diode in reverse bias, with Zener resistance (3 and 27×103) Ω.

SEM also shows spherical-shape particles with difference grain size (3.8 and 19.8) nm.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Abd al-Khaliq, Sarah Yahya& al-Taan, Layth Muhammad. 2022. Electrical properties of n-Cdse -Si-p junction prepared by chemical bath deposition technique, from different weights of sodium Selenosulfate and constant molarity. Rafidain Journal of Science،Vol. 31, no. 2, pp.34-39.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1380499

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Abd al-Khaliq, Sarah Yahya& al-Taan, Layth Muhammad. Electrical properties of n-Cdse -Si-p junction prepared by chemical bath deposition technique, from different weights of sodium Selenosulfate and constant molarity. Rafidain Journal of Science Vol. 31, no. 2 (2022), pp.34-39.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1380499

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Abd al-Khaliq, Sarah Yahya& al-Taan, Layth Muhammad. Electrical properties of n-Cdse -Si-p junction prepared by chemical bath deposition technique, from different weights of sodium Selenosulfate and constant molarity. Rafidain Journal of Science. 2022. Vol. 31, no. 2, pp.34-39.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1380499

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references: p. 38-39

رقم السجل

BIM-1380499