Modelisation analytique de l’effet kink dans un transistor en couches minces a base de polysilicium
المؤلفون المشاركون
المصدر
Sciences et Technologie : Sciences Appliquées
العدد
المجلد 2008، العدد 27 (30 يونيو/حزيران 2008)، ص ص. 25-30، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2008-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص FRE
Un modèle analytique simple du fonctionnement, en régime statique, d’un transistor en couches minces à base de polysilicium ou TFT poly-Si (polysilicon Thin Film Transistor) est proposé.
Le modèle décrit les propriétés du transistor ainsi que les phénomènes physiques représentatifs du silicium polycristallin.
Les résultats de cette étude sont représenté par la simulation du comportement électrique du TFT en prenant en compte l’influence de l’augmentation de la tension de drain sur les caractéristiques courant-tension appelé couramment effet ’’kink’’.
C’est un effet très important car le courant augmente de telle sorte qu’il n’est plus indépendant de la tension de drain et des dimensions du canal du transistor.
La comparaison des différents tracés, illustrant l’évolution des caractéristiques IDS(VDS) pour diverses valeurs de VGS, avec les résultats de travaux expérimentaux et théoriques déjà existants ont révélé une bonne concordance.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Touidjen, N. H.& Mansur, F.. 2008. Modelisation analytique de l’effet kink dans un transistor en couches minces a base de polysilicium. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées،Vol. 2008, no. 27, pp.25-30.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-278037
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Touidjen, N. H.& Mansur, F.. Modelisation analytique de l’effet kink dans un transistor en couches minces a base de polysilicium. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées No. 27 (2008), pp.25-30.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-278037
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Touidjen, N. H.& Mansur, F.. Modelisation analytique de l’effet kink dans un transistor en couches minces a base de polysilicium. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées. 2008. Vol. 2008, no. 27, pp.25-30.
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نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الفرنسية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 30
رقم السجل
BIM-278037
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