Modelisation analytique de l’effet kink dans un transistor en couches minces a base de polysilicium

Abstract FRE

Un modèle analytique simple du fonctionnement, en régime statique, d’un transistor en couches minces à base de polysilicium ou TFT poly-Si (polysilicon Thin Film Transistor) est proposé.

Le modèle décrit les propriétés du transistor ainsi que les phénomènes physiques représentatifs du silicium polycristallin.

Les résultats de cette étude sont représenté par la simulation du comportement électrique du TFT en prenant en compte l’influence de l’augmentation de la tension de drain sur les caractéristiques courant-tension appelé couramment effet ’’kink’’.

C’est un effet très important car le courant augmente de telle sorte qu’il n’est plus indépendant de la tension de drain et des dimensions du canal du transistor.

La comparaison des différents tracés, illustrant l’évolution des caractéristiques IDS(VDS) pour diverses valeurs de VGS, avec les résultats de travaux expérimentaux et théoriques déjà existants ont révélé une bonne concordance.