![](/images/graphics-bg.png)
Laser-induced low-resistance ohmic contacts on n-si
العناوين الأخرى
إنتاج اتصالات أومية ذات مقاومة واطئة على السليكون المانح بوساطة الإحتثاث بالليزر
المؤلفون المشاركون
Hubiatir, Kazim Abd
Ismail, Raid Abd al-Wahhab
Khalaf, Nihaya Hashim
المصدر
العدد
المجلد 5، العدد A (31 ديسمبر/كانون الأول 2006)، ص ص. 5-10، 6ص.
الناشر
جامعة بغداد معهد الليزر للدراسات العليا
تاريخ النشر
2006-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث، تمت دراسة إمكانية إنتاج اتصالات أومية شبه مثالية و بكفاءة لاتصال In / n-Si بوساطة ليزر نيدميوم-ياك النبضي و بأمد نبضة sμ300.
جرى استخدام عدة كثافات طاقة ليزرية، و قد تم تحديد أفضل كثافة طاقة التي تعطي أفضل النتائج.
و قد تم مناقشة طبوغرافية السطوح المشععة بشكل مستفيض لتحديد ظروف السطح التي تلعب الدور المهم في التأثير على نوعية الاتصال، و قد دعمت التفسيرات بالصخور الفوتوغرافية.
إن قياسات تيار-جهد في الانحيازين الأمامي و العكسي كذلك ارتفاع الحاجز تم دراستها للنماذج المشععة بالليزر.
إن إجراء مقارنة بين نتائج هذا البحث و النتائج المنشورة أثبتت أن هذه النتائج توافق الاتصال الأومي القياسي، و أن مقاومة الاتصال النوعي ذات القيمة (1.9 x 10-4 Ω.cm2) قد تم الحصول عليها للنماذج المشععة بطاقة 21.1 2-J.cm و هي أقل قيمة مسجلة لحد الآن لاتصال In / n-Si.
الملخص EN
In the present work, the feasibility of formation near-ideal ohmic behavior of In / n-Si contact efficiently by 300 ms duration Nd : YAG pulsed laser processing has been recognized.
Several laser pulses energy densities have been used, and the optimal energy density that gives best results is obtained.
Topography of the irradiated region was extensively discussed and supported with micrographic illustrations to determine the surface condition that can play the important role in the osmic contact quality.
I-V characteristics in the forward and reverse bias and barrier height measurements have been studied for different irradiated samples to determine the laser energy density that gives best osmic behavior.
Comparing the current results with published results, it is found that these results are competitive and meet the standards of good osmic contact, specific contact resistance of 1.9 x 10-4 W.cm2 has been obtained at 21.1 J.cm-2 laser energy density, which is the lowest value ever reported for In / n-Si.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ismail, Raid Abd al-Wahhab& Hubiatir, Kazim Abd& Khalaf, Nihaya Hashim. 2006. Laser-induced low-resistance ohmic contacts on n-si. Iraqi Journal of Laser،Vol. 5, no. A, pp.5-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-280732
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ismail, Raid Abd al-Wahhab…[et al.]. Laser-induced low-resistance ohmic contacts on n-si. Iraqi Journal of Laser Vol. 5, p. A (2005), pp.5-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-280732
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ismail, Raid Abd al-Wahhab& Hubiatir, Kazim Abd& Khalaf, Nihaya Hashim. Laser-induced low-resistance ohmic contacts on n-si. Iraqi Journal of Laser. 2006. Vol. 5, no. A, pp.5-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-280732
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 9-10
رقم السجل
BIM-280732
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)