The thickness dependence of the electronic and optical properties of a- sige : H films grown by P-CVD technique
العناوين الأخرى
تأثير السمك في الخواص الإلكترونية و البصرية لأفلام السليكون و الجرمانيوم الهيدروجيني اللابلوري المترسبة بتقنية بلازما : الترسيب البخاري الكيميائي
المؤلف
Muhammad, Abd al-Jabbar Rashad
المصدر
University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences
العدد
المجلد 14، العدد 1 (30 إبريل/نيسان 2010)، ص ص. 189-194، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2010-04-30
دولة النشر
اليمن
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
باستخدام تقنية بلازما–الترسيب البخاري الكيميائي (P-CVD) تم ترسيب (إنماء) أفلام السيليكون و الجرمانيوم الهيدروجيني اللابلوري (a-SiGe : H) بأسماك مختلفة في المدى من 0.1 µm ~ إلى 0.6 µm ~.
تمت دراسة تأثير سمك الفلم في الخواص الإلكترونية مثل التوصيلية في الظلام (?d) و التوصيلية الضوئية (?ph)، و كذا دراسة الخواص البصرية مثل فجوة الطاقة البصرية (Eopt) و اتساع ذيل أورباخ (Eu) لحالات حزمة الذيل (band tail states) في فجوة الطاقة لأفلام a-SiGe : H، كما تم استنتاج العلاقة بين الخواص الإلكترونية و البصرية المقاسة و الخواص التركيبية لأفلام a-SiGe:H و توضيح دور التركيب في تحسين الجودة الإلكترونية و البصرية لهذه الأفلام.
أظهرت نتائج الدراسة وجود تزايد في قيم ?d، ?ph و Eopt و تناقص في اتساع ذيل أورباخ (Eu) مع ازدياد سمك الفلم.
تم تفسير التحسن في جودة أفلام a-SiGe : H بالنسبة إلى التناقص في اتساع ذيل أورباخ الناتج عن التناقص في اللاانتظام (disorder) في الشبكة التركيبية لهذه الأفلام.
الملخص EN
This paper reports the dependence of the electronic and optical properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-SiGe : H) films grown by plasma chemical vapor deposition (PCVD( technique on film thickness.
The effects of varying the thickness from ~ 0.1 to ~ 0.6 μm on dark conductivity (σd), photoconductivity (σph), optical energy gap (Eopt) and Urbach tail width (Eu( of the band tails of localized states in the band gap of the a-SiGe : H film material were investigated.
The observations show an increase in σd, σph and Eopt and a decrease in Eu , with an increase of the film thickness.
The electronic and optical properties of the a-SiGe : H films were correlating with their structural properties.
The electronic and optical quality of a-SiGe : H films were ascribed to the decrease in the width of the band tail of localized states at the conduction band edge and reduction of the structural disorder in the film network.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Muhammad, Abd al-Jabbar Rashad. 2010. The thickness dependence of the electronic and optical properties of a- sige : H films grown by P-CVD technique. University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences،Vol. 14, no. 1, pp.189-194.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-285683
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Muhammad, Abd al-Jabbar Rashad. The thickness dependence of the electronic and optical properties of a- sige : H films grown by P-CVD technique. University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences Vol. 14, no. 1 (Apr. 2010), pp.189-194.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-285683
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Muhammad, Abd al-Jabbar Rashad. The thickness dependence of the electronic and optical properties of a- sige : H films grown by P-CVD technique. University of Aden Journal of Natural and Applied Sciences. 2010. Vol. 14, no. 1, pp.189-194.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-285683
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 192-193
رقم السجل
BIM-285683
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر