Responsivity of silicon photodetector in CMOS optical receiver
المؤلف
المصدر
Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences
العدد
المجلد 18، العدد 4 (31 ديسمبر/كانون الأول 2010)8ص.
الناشر
تاريخ النشر
2010-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية والتكنولوجية (متداخلة التخصصات)
الموضوعات
الملخص AR
في نظام الاتصالات البصرية فإن المعلومات المحملة تتعامل مع المصدر الضوئي لتوليد الإشارة الضوئية و هذه الإشارة تتنقل عن طريق الليف الضوئي و أخيرا تؤثر على الكاشف الضوئي في جهة الاستلام، و الذي يعتبر الجزء الأول من المستلم الضوئي.
في هذا البحث وصف لدائرة الفصل لتحويل الإشارة من الوسط البصري إلى الوسط الكهربائي.
و المستخدمة في تصميم المستلم الضوئي، المؤلف من دوائر التكامل CMOS و المعدة لأنظمة الاتصالات البصرية ذو الترددات العالية.
استجابة الكاشفات الضوئية تمت دراستها نظريا بالعلاقة مع الطول الموجي و فولتية الانعكاس.
بينت النتائج إن استجابة الكاشف الضوئي السليكوني لا تتناقص في حالة انخفاض فولتية الانعكاس عند عمله لطول موجي أقل من 4.5 مايكرو متر و بهذه الطريقة فإن الكاشف الضوئي يبدي استجابة مقبولة في اقل فولتية انعكاس و هذا يعني تقليل الكلفة و الحجم.
و كذلك أظهرت النتائج بأن الطول الموجي 1.1 مايكرو متر هو الطول الموجي للقطع و توقف الكاشف.
لقد صمم برنامج ماتلاب لإنجاز هذا البحث بالسرعة و الدقة المطلوبة.
الملخص EN
In optical communication system the modulated information is processed by an optical source to generate an optical signal.
This signal is transmitted through an optical fiber and finally the photodetector at the receiving end as a first part of optical receiver.
This paper describes the interface circuitry to convert from the optical domain to the electrical domain.
This is used to design an integrated CMOS Optical receiver for gigabit optical communication systems.
The responsivity of photodetectors is studied theoretically in relation with wave length and reverse bias voltages.
The results show that the responsivity of Si photodetector will not decreased if the reverse bias voltage decreases when it is operated below 4.5 µm wave length, thus the photodetector offers acceptable responsivity at lowest bias voltage this means low size and low cost of photodetector.
The results also show 1.1 µm wave length is a cut off wave length.
MATLAB program are designed in order to achieve this task at high speed and accuracies.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hamid, Hadi Adhab. 2010. Responsivity of silicon photodetector in CMOS optical receiver. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences،Vol. 18, no. 4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287284
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hamid, Hadi Adhab. Responsivity of silicon photodetector in CMOS optical receiver. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences Vol. 18, no. 4 (2010).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287284
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hamid, Hadi Adhab. Responsivity of silicon photodetector in CMOS optical receiver. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences. 2010. Vol. 18, no. 4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287284
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references.
رقم السجل
BIM-287284
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر