Highly oriented doped and undoped tin oxide thin films grown on multicrystalline silicon substrate
المؤلفون المشاركون
Ismail, A.
Hawwari, R. Outemzabet
المصدر
Sciences et Technologie : Sciences Appliquées
العدد
المجلد 2009، العدد 29 (30 يونيو/حزيران 2009)، ص ص. 23-26، 4ص.
الناشر
تاريخ النشر
2009-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
شرائح رقيقة متعددة البلورات من مركب ثنائي أكسيد الإيثان المشوب بالأنتموان و الغير المشوب زرعت فوق دعامات من السيلسيوم متعدد البلورات الدعامات الأخيرة استعملت من أجل الدراسة المقارنة للبنية و الخصائص.
الإشابة تمت بكميات متفاوتة من الأنتموان بالنسبة لثاني أكسيد الإيثان.
انعراج الأشعة السينية سمحت لنا بإيجاد وضعية الترسب المفضلة المتغيرة بحسب طبيعة الدعامة.
تم ترسيب الحبيبات في الاتجاهات البلورية (200, 211, 101) بالنسبة للدعائم الزجاجية، بينما تم في الاتجاهات (101, 211, 110) فوق دعائم السيلسيوم متعدد البلورات.
البنية الدقيقة للطبقات الناتجة عبارة عن أعمدة أهرام عمودية على الدعامة و بحبيبات من رتبة النانو متر.
المقاومة السطحية المقاسة بالنسبة للطبقات المشابة تختلف إختلاف معتبرا عن تلك الخاصة بالطبقات غير المشابة المتحصل عليها في نفس الشروط التجريبية : درجة حرارة الدعامة : 440 ° C زمن الوضع : 10د تدقق الأكسجين : 2 ل / د.
على عكس النتائج المتحصل عليها في عمل سابق بالنسبة لطبقات ثنائي أكسيد الإيثان المبخرة فوق السيلسيوم أحادي البلورة : يلاحظ أن البنية الدقيقة تتأثر بنوع الدعامة يتمثل هذا العمل في تحليل عدم الاستقرار مرونة انبعاج الصفائح المصففة ذات التشويه الهندسي.
الانبعاج الصفائح ذات المواد المركبة و هي ظاهرة معقدة جدا.
لتحميل الانبعاج الصفائح الرقيقة المصففة قمنا باستخدام عنصر متكون من أربع عقد و 32 درجة متحررة، العلاقة المعتمدة على نظرية (كرشوف) و التي تتمثل في أحادي الطبق المكافئة لطبقات الصفائح المصففة.
ثم قمنا بتقديم مشاكل صياغة عدم الاستقرار باستعمالنا مبدأ تغير الثاني للطاقة الكامنة في بناء صلابة المصفوفات.
قمنا بتجارب عدة عينات لظاهرة الانبعاج الصفائح الرقيقة المتجانسة و غير المتجانسة (مركبة) و النتائج المتحصل عليها مقارنة مع النتائج المرجعية المتوفرة أثبتت تقارب النتائج و نجاعة العنصر المستخدم.
تم ثقب الصفحة و المركبة عدة مرات و بينت النتائج أن الحمولة الحدية لانبعاج تزداد مع زيادة مساحة ثقب مربع الشكل و ذلك مع بعض الشروط الحدية.
الملخص EN
Polycrystalline antimony doped and undoped tin oxide thin films are grown by chemical vapor deposition on multicrystalline silicon and on glass substrates.
The latter substrate was considered for comparative study on growth and characterization.
The doping was achieved with various content of Sb in the starting material.
X ray diffraction patterns let us to find preferential growth which is not the same according to the substrate.
On the glass substrate the grain grows in the (101, 211, 200) crystallographic direction while it grows in the (110, 211, 101) orientation when deposited on polycrystalline silicon substrate at the same time and in the same reactor.
The resultant films possess a columnar microstructure perpendicular to the substrate and exhibits grains with nanometer size.
The sheet resistance measured on doped layers are significantly improved compared to that obtained on undoped ones, in the same conditions i.e.
substrate temperature Ts=440°C, duration of the deposition 10 min and flowing oxygen about 2L/min.
Contrary to results obtained on tin oxide layer deposited on monocrystalline silicon in previous work the microstructure seems to be dependant on the kind of the substrate.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ismail, A.& Hawwari, R. Outemzabet. 2009. Highly oriented doped and undoped tin oxide thin films grown on multicrystalline silicon substrate. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées،Vol. 2009, no. 29, pp.23-26.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293594
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ismail, A.& Hawwari, R. Outemzabet. Highly oriented doped and undoped tin oxide thin films grown on multicrystalline silicon substrate. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées No. 29 (2009), pp.23-26.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293594
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ismail, A.& Hawwari, R. Outemzabet. Highly oriented doped and undoped tin oxide thin films grown on multicrystalline silicon substrate. Sciences et Technologie : Sciences Appliquées. 2009. Vol. 2009, no. 29, pp.23-26.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293594
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 26
رقم السجل
BIM-293594
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
