Temperature sensitivity of GaN AlN quantum-dot semiconductor optical amplifiers (QD SOA)
المؤلف
المصدر
العدد
المجلد 2، العدد 1 (31 يناير/كانون الثاني 2012)12ص.
الناشر
تاريخ النشر
2012-01-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص EN
Temperature sensitivity of GaN quantum dot (QD) is studied in detail in this paper.
Non-Markova gain, spontaneous emission, noise figure, small signal gain and output power are calculated at different temperatures (T = 0, 200, 300, 400 and 500) 0K.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Asadi, Falah H.. 2012. Temperature sensitivity of GaN AlN quantum-dot semiconductor optical amplifiers (QD SOA). College of Education Journal،Vol. 2, no. 1.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-304372
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Asadi, Falah H.. Temperature sensitivity of GaN AlN quantum-dot semiconductor optical amplifiers (QD SOA). College of Education Journal Vol. 2, no. 1 (2012).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-304372
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Asadi, Falah H.. Temperature sensitivity of GaN AlN quantum-dot semiconductor optical amplifiers (QD SOA). College of Education Journal. 2012. Vol. 2, no. 1.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-304372
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendices.
رقم السجل
BIM-304372
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
