An 8-bit full-adder implementation using single electron tunneling (SET) technology
العناوين الأخرى
تنفيذ دائرة جمع-كامل ذات ثمانية بت باستخدام تكنولوجيا إختراق الإلكترون الواحد (النانومترية)
المؤلفون المشاركون
al-Mutawalli, Iman
Rayhan, Samih
المصدر
العدد
المجلد 32، العدد 2 (30 يونيو/حزيران 2007)7ص.
الناشر
تاريخ النشر
2007-06-30
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
إن تكنولوجيا اختراق الإلكترون الواحد (النانو مترية) تقدم إمكانية أكبر لتصغير أبعاد المكونات الإلكترونية الحديثة مقارنة بالإمكانيات المتوقعة لتكنولوجيات السيليكون المعروفة (مثل تكنولوجيا معدن -أكسيد- شبه موصل المزدوجة).
إن تكنولوجيا اختراق الإلكترون الواحد تعطي القدرة على التحكم في حركة الإلكترونيات في الدوائر المصممة.
في هذا البحث سنقوم باستعراض أحد دوائر الإلكترون الواحد في الأبحاث المنشورة حديثا و هي الدائرة المنطقية الحدية (Threshold Logic Gate) و كيفية استخدامها في تنفيذ دائرة جمع – كامل ذات بت واحدة.
و سيتضمن ذلك تفاصيل هذه الدائرة بما فيها قيم المكونات المستخدمة و النتائج المتوقعة لاستخدام هذه الدائرة بالاستعانة ببرنامج المحاكاة على الكمبيوتر (سيمون 2).
ثم سنناقش إمكانية تكبير الدائرة السابقة لتنفيذ دوائر جمع–كامل ذات أعداد بت أكبر.
و في نهاية البحث سنقدم التصميم الكامل لدائرة إلكترون واحد تنفذ دائرة جمع–كامل ذات ثمانية بت مع نتائج المحاكاة على الكمبيوتر.
الملخص EN
Single Electron Tunneling (SET) devices have come to be considered as promising candidates for future ultra-low power and high-density integrated circuits.
Their potential for ultra-low power is related to that the operation is based on only few electrons.
The term Single Electron Tunneling (SET) technology has been selected for devices sensitive to the manipulation of a single electron even if the device itself requires in fact few electrons.
Besides, SET provides simple and elegant solution for implementing Threshold Logic Gates (TLGs).
This paper presents a SET TLG one-bit full-adder implemented in SET technology.
The paper then introduces the design and implementation of an 8-bit SET TLG full-adder and presents its SIMON 2 simulation results.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Mutawalli, Iman& Rayhan, Samih. 2007. An 8-bit full-adder implementation using single electron tunneling (SET) technology. Mansoura Engineering Journal،Vol. 32, no. 2.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-324669
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Mutawalli, Iman& Rayhan, Samih. An 8-bit full-adder implementation using single electron tunneling (SET) technology. Mansoura Engineering Journal Vol. 32, no. 2 (2007).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-324669
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Mutawalli, Iman& Rayhan, Samih. An 8-bit full-adder implementation using single electron tunneling (SET) technology. Mansoura Engineering Journal. 2007. Vol. 32, no. 2.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-324669
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendix.
رقم السجل
BIM-324669
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
