Modulation response of the thyristor SCR (BT151)‎ at high frequency

المؤلفون المشاركون

Ahmad, Ziyad T.
Salih, Hisham A.
Ramadan, Sad F.

المصدر

al-Tarbiyah wa-al-Ilm : Majallat ilmiyah lil-Buhuth al-Ilmiyah al-Asasiyah

العدد

المجلد 23، العدد 2 (30 يونيو/حزيران 2010)، ص ص. 43-55، 13ص.

الناشر

جامعة الموصل كلية التربية للعلوم الصرفة

تاريخ النشر

2010-06-30

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

13

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الملخص AR

تم في هذا البحث دراسة الخصائص الاستاتيكية و الديناميكية لثايرستور نوع SCR(BT151).

فيما يخص الخصائص الاستاتيكية جرى دراسة علاقة التياؤ-فولتية لهذه النبيطة عند درجات حرارية مختلفة, و تم تحديد فولتية العتبة لكل منحني و دراسة تغير فولتية العتبة كدالة لتغير درجة حرارية مختلفة, و تم تحديد فولتية العتبة لكل منحني و دراسة تغير فولتية العتبة كدالة لتغير درجة الحرارة و وجد أن فولتية العتبة تزداد بصور غير خطية مع ازدياد درجة الحرارة أي أن هذه النبيطة (SCR) حساسة للتغير في درجات الحرارة.

كما تم دراسة استقرارية النبطية من خلال دراسة الايصالية (G=dI/dV) مع تغير فولتية الانود-كاثود و المعلمة (dG/dV) مع تغير فولتية الانود-كاثود أيضا. أما الخصائص الديناميكية فتمت دراستها من خلال دراسة التضمين بين ترددي الانود و البوابة إذ تم ملاحظة التشوهات في هذا التضمين من خلال تأثير تغير تردد أحدهما بثبوت تردد الآخر عند الترددات الأعلى من (5KHz).

الملخص EN

In this work, static and dynamical chracteristics of SCR(BT51) thyrister have been studied.In relate to static chracteristics, I-V relationship of this device has been illustrated at different temperatures as well as determination of threshold voltage values (Vth) ,studing it's variation as a function of temperature and the result obtaining from this study that the (Vth) is nonlinearly increasing with temperature increasing, this gives the fact that the device senstive to temperature variation.

Also, the relationship between both of the conductance (G = dI dV ) and the parameter (dG dV ) with anode-cathode voltage variation have been explained.

For dynamical properties of this device, the intermodulation distortion as a function of common effect between anode and gate frequencies more than (5 kHz) has been observed.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Ahmad, Ziyad T.& Ramadan, Sad F.& Salih, Hisham A.. 2010. Modulation response of the thyristor SCR (BT151) at high frequency. al-Tarbiyah wa-al-Ilm : Majallat ilmiyah lil-Buhuth al-Ilmiyah al-Asasiyah،Vol. 23, no. 2, pp.43-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-325959

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Ahmad, Ziyad T.…[et al.]. Modulation response of the thyristor SCR (BT151) at high frequency. al-Tarbiyah wa-al-Ilm : Majallat ilmiyah lil-Buhuth al-Ilmiyah al-Asasiyah Vol. 23, no. 2 (2010), pp.43-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-325959

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Ahmad, Ziyad T.& Ramadan, Sad F.& Salih, Hisham A.. Modulation response of the thyristor SCR (BT151) at high frequency. al-Tarbiyah wa-al-Ilm : Majallat ilmiyah lil-Buhuth al-Ilmiyah al-Asasiyah. 2010. Vol. 23, no. 2, pp.43-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-325959

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 55

رقم السجل

BIM-325959