Electrical investigation of Psi Si (n-type) structure
العناوين الأخرى
الاستقصاء الكهربائي لمركب PSi Si (نوع n)
المؤلفون المشاركون
al-Haddad, Rad Muhammad Salih
Ibrahim, Isam Muhammad
Ali, Iftikhar Musa
المصدر
العدد
المجلد 7، العدد 8 (30 إبريل/نيسان 2009)، ص ص. 33-38، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2009-04-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي بطريقة الضؤي-الكيميائي لشرائح السليكون ((( (n-type (orientation (11و مقاومية (0.02 cm) في حامض الهيدروفلوريك (HF) و بتركيز (39 %) و باستخدام مصباح الهالوجين و بقدرة (100watt) تم وضع العينات في سائل مكون من حامض الهيدروفلوريك و الايثانول و بنسبة 1 : 1 و لمدة 15 دقيقة.
العينات التي حضرت بهذه الطريقة كانت بسمك 100 مايكرون و مسامية 30 %.
تم دراسة اعتمادية التوصيلية على التردد و علاقتها مع الممانعة و للعينات المحضرة بشكل سندويج Al / Psi / Si /Al و ضمن مدى الترددات (Hz 106 – 102).
تم دراسة الانتقالات الإلكترونية و التي تم من خلالها حساب ثابت العزل و الاستقطابية و اعتماديتهما على التردد على ميكانيكية القنص في المواد البلورية.
أما التوصيلية الكهربائية تم تفسيرها اعتمادا على ميكانيكية القفز في المستويات الموضعية في التركيب العشوائي للسليكون المسامي.
الملخص EN
In this work, porous Silicon structures are formed with photochemical etching process of n-type Silicon (111) wafers of resistivity (0.02.cm) in hydrofluoric acid (HF) of concentration (39 % wt) under light source of tungeston halogen lamp of (100 Watt) power.
Samples were anodized in a solution of 39 % HF and ethanol at 1:1 for 15 minutes.
The samples were realized on n-type Si substrates Porous Silicon layers of 100m thickness and 30 % of porousity.
Frequency dependence of conductivity for Al / Psi / Si / Al sandwich form was studied.
A frequency range of 102-106 Hz was used allowing an accurate determination of the impedance components.
Their electronic transport parameters were determined using complex impedance measurements.
These measurements provide a powerful tool for interpretation of basic properties such as the dielectric constant, polarizibility and frequency dependence in the crystallites and trapping mechanisms.
The electrical conductivity is mainly controlled by hoping transport on localized states in the chaotic porous structure.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Haddad, Rad Muhammad Salih& Ibrahim, Isam Muhammad& Ali, Iftikhar Musa. 2009. Electrical investigation of Psi Si (n-type) structure. Iraqi Journal of Physics،Vol. 7, no. 8, pp.33-38.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338215
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Haddad, Rad Muhammad Salih…[et al.]. Electrical investigation of Psi Si (n-type) structure. Iraqi Journal of Physics Vol. 7, no. 8 (2009), pp.33-38.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338215
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Haddad, Rad Muhammad Salih& Ibrahim, Isam Muhammad& Ali, Iftikhar Musa. Electrical investigation of Psi Si (n-type) structure. Iraqi Journal of Physics. 2009. Vol. 7, no. 8, pp.33-38.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338215
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 38
رقم السجل
BIM-338215
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر