The structural and optical properties of hydrogenated and nitrogenated a-Si0.1Ge0.9 and a-Si0.1Ge0.9:3 % B thin films
العناوين الأخرى
الخصائص التركيبية و البصرية للأغشية الدقيقة المهدرجة و المنترجة Si0.1Ge0.9 النقية و المطعمة بـ 3 % بورون
المؤلف
المصدر
العدد
المجلد 7، العدد 9 (31 أغسطس/آب 2009)، ص ص. 67-79، 13ص.
الناشر
تاريخ النشر
2009-08-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
13
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تم تحضیر أغشية a-Si0.1Ge0.9: N و a-Si0.1Ge0.9:H النقیة و المطعمة بالبورون بطریقة التبخیر والومیضي.
و تم بنجاح هدرجة و نترجة الأغشية في موقعها الأصلي بعد الترسیب.
أعطت تحلیلات FTIR أواصر الامتصاص للهیدروجین و النتروجین مع كل من السلیكون و الجرمانیوم كما أعطت تحلیلات x-ray تركیب الأغشية المحضرة.
أوضحت النتائج أن التلدین یؤثر على الخصائص التركیبیة و البصریة للأغشية المحضرة حیث أن تركیب الأغشية المحضرة كان عشوائي لكل درجات حرارة التلدین و لكن فجوة الطاقة البصریة (Eopt) تزداد للأغشية غير المهدرجة أو المنتترجة مع زيادة درجة حرارة التلدين (Ta) و كذلك كل من معامل الانكسار و ثابت العزل الحقیقي مع زیادة Ta بینما یقل معامل الخمود و ثابت العزل الخیالي.
تؤدي الهدرجة و النترجة للأغشية زیادة في فجوة الطاقة الغیر مباشرة و معامل الانكسار و الخمود للأغشية النقیة و المطعمة بالبورون.
كما أن التطعیم بالبورون عادى إلى نقصان في فجوة الطاقة البصریة و معامل الانكسار و ثابت العزل الحقیقي بینما تنخفض قیمة كل من معامل الخمود و ثابت العزل الخیالي.
الملخص EN
It is shown that pure and 3 % boron doped a-Si0.1Ge0.9:H and a-Si0.1Ge0.9:N thin films could be prepared by flash evaporation processes.
The hydrogenation and nitrogenation are very successful in situ after depositing the films.
The FT-IR analysis gave all the known absorbing bonds of hydrogen and nitrogen with Si and Ge.
Our data showed a considerable effect of annealing temperature on the structural and optical properties of the prepared films.
The optical energy gap (Eopt.) of a-Si0.1Ge0.9 samples showed to have significant increase with annealing temperature (Ta) also the refractive index and the real part of dielectric constant increases with Ta, however the extinction coefficient and imaginary part of dielectric constant decrease.
The hydrogen and nitrogen alloying caused an increase in the indirect band gap (Eopt.), refractive index and extinction coefficient of a-Si0.1Ge0.9 and a-Si0.1Ge0.9:3 % B.
The boron doped films caused a decrease in Eopt., refractive index and real part of dielectric constant while the extinction coefficient and imaginary part of dielectric constant increased.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad. 2009. The structural and optical properties of hydrogenated and nitrogenated a-Si0.1Ge0.9 and a-Si0.1Ge0.9:3 % B thin films. Iraqi Journal of Physics،Vol. 7, no. 9, pp.67-79.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338256
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad. The structural and optical properties of hydrogenated and nitrogenated a-Si0.1Ge0.9 and a-Si0.1Ge0.9:3 % B thin films. Iraqi Journal of Physics Vol. 7, no. 9 (2009), pp.67-79.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338256
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad. The structural and optical properties of hydrogenated and nitrogenated a-Si0.1Ge0.9 and a-Si0.1Ge0.9:3 % B thin films. Iraqi Journal of Physics. 2009. Vol. 7, no. 9, pp.67-79.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338256
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 78-79
رقم السجل
BIM-338256
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر