Theoretical calculation of rate constant of charge transport processes in Au metal semiconductor interface system
العناوين الأخرى
الحسابات النظرية لمعدل انتقال الشحنة في سطح نظام معدن الذهب شبه الموصل
المؤلفون المشاركون
al-Uqayli, Hadi J.
Majbal, Husayn K.
المصدر
العدد
المجلد 8، العدد 2 (31 مارس/آذار 2013)، ص ص. 17-27، 11ص.
الناشر
جامعة ذي قار قسم البحث و التطوير
تاريخ النشر
2013-03-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
11
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
ثابت معدل الانتقال للشحنة عند السطح ما بين نظام معدن الذهب و شبه الموصل (ZnO, ZnS, ZnSe) حسب مع الطاقة الحرة لإعادة الترتيب وفقا لأنموذج نظري اشتق وفقا للنظرية الكمية و بحدود الباراميرات الفيزيائية.
و حسب الأنموذج الكمي و نظرية هاش لطاقة إعادة الترتيب لدراسة الانتقال الإلكتروني عبر سطح معدن الواهب / شبه الموصل وجد أن الانتقال الإلكتروني يتزايد بتزايد طاقة إعادة الترتيب، حيث أن معد الانتقال الإلكتروني يعتمد ارتفاع حاجز الجهد لنظام Au / ZnO, Au / ZnS, Au / ZnSe.
يتشكل هذا الجهد عند الاتصال و يعتمد على دالة الشغل للمعدن و الألفة الإلكترونية لشحنة الموصل.
نتائج معدل و الألفة الإلكترونية لشبه الموصل mϕ الانتقال الإلكتروني تعتمد على طاقة إعادة الترتيب λ و دال الشغل للمعدن X و التركيب البلوري لشبه الموصل و صفات المعدن و مصفوفة العناصر المترابطة بين المعدن و شبه الموصل.
الملخص EN
The rates constant of the charge transfer in the interface between gold (Au) metal and ZnO, ZnS, and ZnSe semiconductor systems have been calculated with the reorientation free energy a according to a theoretical model which has been derived according quantum theory in terms of physical parameters.
We present a quantum model and a Hush theory for reorientation energy to study of electron transfer across gold.
The rate of charge transfer increase with increase the reorientation energy.
The rate constant of electron transfer Ket depend on the barrier height of Au / ZnO, Au / ZnS, and Au / ZnSe system, this barrier formed during contact and depends on the work function and affinity of semiconductors.
Results of the rate constant of electron transfer Ket depends on reorientation energy λ, work function of metal Φm, affinity of semiconductors χ , crystal structure of semiconductors properties of metal and the coupling matrix element between metal and semiconductors.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Uqayli, Hadi J.& Majbal, Husayn K.. 2013. Theoretical calculation of rate constant of charge transport processes in Au metal semiconductor interface system. University of Thi-Qar Journal،Vol. 8, no. 2, pp.17-27.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-351336
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Uqayli, Hadi J.& Majbal, Husayn K.. Theoretical calculation of rate constant of charge transport processes in Au metal semiconductor interface system. University of Thi-Qar Journal Vol. 8, no. 2 (Mar. 2013), pp.17-27.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-351336
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Uqayli, Hadi J.& Majbal, Husayn K.. Theoretical calculation of rate constant of charge transport processes in Au metal semiconductor interface system. University of Thi-Qar Journal. 2013. Vol. 8, no. 2, pp.17-27.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-351336
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 26-27
رقم السجل
BIM-351336
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر