Criteria for plasma domains in gunn diode fabricated from GaAs and InP
العناوين الأخرى
معيار مجالات البلازما في ثنائي "Gunn" المصنوع من الكاليوم- آرسنايد و الأنديوم- فوسفات
المؤلف
المصدر
Journal of Basrah Researches : Sciences
العدد
المجلد 34، العدد 3A (30 يونيو/حزيران 2008)8ص.
الناشر
جامعة البصرة كلية التربية للعلوم الصرفة
تاريخ النشر
2008-06-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
اقترحت معاملات مختلفة ذات صلة في معيار المجالات الفيزيائية لبلازما الحالة الصلبة حيث أن الإقتران الشديد و الضعيف للبلازما الكلاسيكية يكون مقسما وفقا لمعامل البلازما G, #E' 'DE,'D'* 'DCD'3JCJ) H 'DCEJ) *CHF EA5HD) HAB' DE9'ED 'D%F-D'D 'DCEJ L, H #F rs يمثل معامل الضغط الكمي و يقوم بوصف البلازما المنحلة ذات الإقتران الضعيف.
تم في هذا البحث دراسة التطبيقات على ثنائي "Gunn", و هو أحد نبائط الألكترون المنتقل TED, المصنوع من الكاليوم – آرسنايد و الأنديوم – فوسفات.
و كذلك تم اقتراح طريقة تحليل جديدة لأنماط تشغيل هذه النبائط بدلالة المعاملات أعلاه و بواسطة تغيير تركيز حاملات الشحنات على طول طبقات هذه النبائط (منطقة طبقة القاعدة و منطقة الطبقة الفعالة النشطة) عند درجة حرارة 300K.
تم الحصول على علاقات تجريبية تصف تشغيل/عمل الترددات المايكروويفية داخل هذه النبائط و التي قادت بدورها إلى الحصول على علاقات جديدة أخرى تصف طول النبيطة و كذلك علاقات تركيز حاملات الشحنات بدلالة مجالات البلازما.
المجالات الأربعة الرئيسية التي تمت مناقشتها هي : البلازما الكلاسيكية ذات الإقتران الشديد, البلازما الكلاسيكية ذات الإقتران الضعيف, البلازما المنحلة و البلازما المنحلة ذات الإقتران الضعيف.
الملخص EN
Various parameters are proposed relevant to criteria for physical domains in solid-state plasmas.
Strongly-and Weakly-coupled classical plasmas are divided according to the plasma parameter Γ.
Classical and quantum domains are separated according to the quantum degeneracy parameter Λ .The weakly-coupled degenerate plasma is described in terms of the quantum compression parameter rs.
In this paper, the application is made to Gunn diode, one of the long lasting Transferred Electron Devices (TED’s), fabricated from GaAs and InP, and suggested a new study to analyze the modes of operation of both devices in terms of these parameters by varying the charge-carrier concentration along the device layers (Substrate and active layer region) at 300K.
Incorporating novel empirical relations have been done for the first time, for microwave operating frequency, which lead to other new relations for the device length and charge-carrier concentration, in terms of plasma domains.
The four principal domains discussed are: strongly – and weakly – coupled classical plasmas, degenerate plasmas and weakly – coupled degenerate plasmas.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ahmad, Haydar Abd al-Rahim. 2008. Criteria for plasma domains in gunn diode fabricated from GaAs and InP. Journal of Basrah Researches : Sciences،Vol. 34, no. 3A.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382879
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ahmad, Haydar Abd al-Rahim. Criteria for plasma domains in gunn diode fabricated from GaAs and InP. Journal of Basrah Researches : Sciences Vol. 34, no. 3A (Jun. 2008).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382879
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ahmad, Haydar Abd al-Rahim. Criteria for plasma domains in gunn diode fabricated from GaAs and InP. Journal of Basrah Researches : Sciences. 2008. Vol. 34, no. 3A.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382879
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-382879
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر