Device line simulation of high speed oscillators using harmonic balance techniques

المؤلف

Ghannushi, Fadil M.

المصدر

The Arabian Journal for Science and Engineering

العدد

المجلد 19، العدد 4B (s) (31 أكتوبر/تشرين الأول 1994)، ص ص. 805-812، 8ص.

الناشر

جامعة الملك فهد للبترول و المعادن

تاريخ النشر

1994-10-31

دولة النشر

السعودية

عدد الصفحات

8

التخصصات الرئيسية

تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب

الملخص EN

This paper describes the use of the harmonic balance technique to analyze high speed negative resistance oscillators obtained by loading a microwave transistor with an appropriate terminating network.

Analytical developments required for computer implementation are discussed and simulation and experimental results are reported.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Ghannushi, Fadil M.. 1994. Device line simulation of high speed oscillators using harmonic balance techniques. The Arabian Journal for Science and Engineering،Vol. 19, no. 4B (s), pp.805-812.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-395050

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Ghannushi, Fadil M.. Device line simulation of high speed oscillators using harmonic balance techniques. The Arabian Journal for Science and Engineering Vol. 19, no. 4B (Special issue) (Oct. 1994), pp.805-812.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-395050

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Ghannushi, Fadil M.. Device line simulation of high speed oscillators using harmonic balance techniques. The Arabian Journal for Science and Engineering. 1994. Vol. 19, no. 4B (s), pp.805-812.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-395050

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 811-812

رقم السجل

BIM-395050