Fabrication of a Cu(InGa)Se2 Thin Film Photovoltaic Absorber by Rapid Thermal Annealing of CuGaIn Precursors Coated with a Se Layer
المؤلفون المشاركون
Chen, Yu-Yao
Wen, Dong-Cherng
Huang, Peng-cheng
Hsu, Chun-yao
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-02-27
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Cu(InGa)Se2 (CIGS) thin film absorbers are prepared using sputtering and selenization processes.
The CuGa/In precursors are selenized during rapid thermal annealing (RTA), by the deposition of a Se layer on them.
This work investigates the effect of the Cu content in precursors on the structural and electrical properties of the absorber.
Using X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, Raman spectroscopy, and Hall effect measurement, it is found that the CIGS thin films produced exhibit facetted grains and a single chalcopyrite phase with a preferred orientation along the (1 1 2) plane.
A Cu-poor precursor with a Cu/(In+Ga) ratio of 0.75 demonstrates a higher resistance, due to an increase in the grain boundary scattering and a reduced carrier lifetime.
A Cu-rich precursor with a Cu/(In+Ga) ratio of 1.15 exhibits an inappropriate second phase (Cu2-xSe) in the absorber.
However, the precursor with a Cu/(In+Ga) ratio of 0.95 exhibits larger grains and lower resistance, which is suitable for its application to solar cells.
The deposition of this precursor on Mo-coated soda lime glass substrate and further RTA causes the formation of a MoSe2 layer at the interface of the Mo and CIGS.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hsu, Chun-yao& Huang, Peng-cheng& Chen, Yu-Yao& Wen, Dong-Cherng. 2013. Fabrication of a Cu(InGa)Se2 Thin Film Photovoltaic Absorber by Rapid Thermal Annealing of CuGaIn Precursors Coated with a Se Layer. International Journal of Photoenergy،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448229
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hsu, Chun-yao…[et al.]. Fabrication of a Cu(InGa)Se2 Thin Film Photovoltaic Absorber by Rapid Thermal Annealing of CuGaIn Precursors Coated with a Se Layer. International Journal of Photoenergy No. 2013 (2013), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448229
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hsu, Chun-yao& Huang, Peng-cheng& Chen, Yu-Yao& Wen, Dong-Cherng. Fabrication of a Cu(InGa)Se2 Thin Film Photovoltaic Absorber by Rapid Thermal Annealing of CuGaIn Precursors Coated with a Se Layer. International Journal of Photoenergy. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448229
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-448229
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر