![](/images/graphics-bg.png)
Design and Characterization of the Next Generation Nanowire Amplifiers
المؤلفون المشاركون
Hamedi-Hagh, Sotoudeh
Bindal, Ahmet
المصدر
العدد
المجلد 2008، العدد 2008 (31 ديسمبر/كانون الأول 2008)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2009-02-03
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
Vertical nanowire surrounding gate field effect transistors (SGFETs) provide full gate control over the channel to eliminate short-channel effects.
This paper presents design and characterization of a differential pair amplifier using NMOS and PMOS SGFETs with a 10 nm channel length and a 2 nm channel radius.
The amplifier dissipates 5 μW power and provides 5 THz bandwidth with a voltage gain of 16, a linear output voltage swing of 0.5 V, and a distortion better than 3% from a 1.8 V power supply and a 20 aF capacitive load.
The 2nd- and 3rd-order harmonic distortions of the amplifier are −40 dBm and −52 dBm, respectively, and the 3rd-order intermodulation is −24 dBm for a two-tone input signal with 10 mV amplitude and 10 GHz frequency spacing.
All these parameters indicate that vertical nanowire surrounding gate transistors are promising candidates for the next generation high-speed analog and VLSI technologies.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hamedi-Hagh, Sotoudeh& Bindal, Ahmet. 2009. Design and Characterization of the Next Generation Nanowire Amplifiers. VLSI Design،Vol. 2008, no. 2008, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-453144
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hamedi-Hagh, Sotoudeh& Bindal, Ahmet. Design and Characterization of the Next Generation Nanowire Amplifiers. VLSI Design No. 2008 (2008), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-453144
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hamedi-Hagh, Sotoudeh& Bindal, Ahmet. Design and Characterization of the Next Generation Nanowire Amplifiers. VLSI Design. 2009. Vol. 2008, no. 2008, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-453144
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-453144
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)