![](/images/graphics-bg.png)
Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Thin Films Prepared by Hot-Wire Method with Varied Process Pressure
المؤلفون المشاركون
Waman, V. S.
Kamble, M. M.
Funde, A. M.
Gosavi, S. W.
Jadkar, S. R.
Sathe, V. G.
Hawaldar, R. R.
Pramod, M. R.
Amalnerkar, D. P.
المصدر
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-07-07
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
الملخص EN
Hydrogenated nanocrystalline silicon films were prepared by hot-wire method at low substrate temperature (200∘C) without hydrogen dilution of silane (SiH4).
A variety of techniques, including Raman spectroscopy, low angle X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, atomic force microscopy (AFM), and UV-visible (UV-Vis) spectroscopy, were used to characterize these films for structural and optical properties.
Films are grown at reasonably high deposition rates (>15 Å/s), which are very much appreciated for the fabrication of cost effective devices.
Different crystalline fractions (from 2.5% to 63%) and crystallite size (3.6–6.0 nm) can be achieved by controlling the process pressure.
It is observed that with increase in process pressure, the hydrogen bonding in the films shifts from Si–H to Si–H2 and (Si–H2)n complexes.
The band gaps of the films are found in the range 1.83–2.11 eV, whereas the hydrogen content remains <9 at.% over the entire range of process pressure studied.
The ease of depositing films with tunable band gap is useful for fabrication of tandem solar cells.
A correlation between structural and optical properties has been found and discussed in detail.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Waman, V. S.& Funde, A. M.& Kamble, M. M.& Pramod, M. R.& Hawaldar, R. R.& Amalnerkar, D. P.…[et al.]. 2011. Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Thin Films Prepared by Hot-Wire Method with Varied Process Pressure. Journal of Nanotechnology،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-456704
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Waman, V. S.…[et al.]. Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Thin Films Prepared by Hot-Wire Method with Varied Process Pressure. Journal of Nanotechnology No. 2011 (2011), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-456704
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Waman, V. S.& Funde, A. M.& Kamble, M. M.& Pramod, M. R.& Hawaldar, R. R.& Amalnerkar, D. P.…[et al.]. Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Thin Films Prepared by Hot-Wire Method with Varied Process Pressure. Journal of Nanotechnology. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-456704
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-456704
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)