Current Tunnelling in MOS Devices with Al2O3SiO2 Gate Dielectric
المؤلفون المشاركون
Bouazra, A.
Nasrallah, S. Abdi-Ben
Said, M.
Poncet, A.
المصدر
العدد
المجلد 2008، العدد 2008 (31 ديسمبر/كانون الأول 2008)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2008-02-07
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
With the continued scaling of the SiO2 thickness below 2 nm in CMOS devices, a large direct-tunnelling current flow between the gate electrode and silicon substrate is greatly impacting device performance.
Therefore, higher dielectric constant materials are desirable for reducing the gate leakage while maintaining transistor performance for very thin dielectric layers.
Despite its not very high dielectric constant (∼10), Al2O3 has emerged as one of the most promising high-k candidates in terms of its chemical and thermal stability as its high-barrier offset.
In this paper, a theoretical study of the physical and electrical properties of Al2O3 gate dielectric is reported including I(V) and C(V) characteristics.
By using a stack of Al2O3/SiO2 with an appropriate equivalent oxide thickness of gate dielectric MOS, the gate leakage exhibits an important decrease.
The effect of carrier trap parameters (depth and width) at the Al2O3/SiO2 interface is also discussed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Bouazra, A.& Nasrallah, S. Abdi-Ben& Said, M.& Poncet, A.. 2008. Current Tunnelling in MOS Devices with Al2O3SiO2 Gate Dielectric. Research Letters in Physics،Vol. 2008, no. 2008, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-460489
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Bouazra, A.…[et al.]. Current Tunnelling in MOS Devices with Al2O3SiO2 Gate Dielectric. Research Letters in Physics No. 2008 (2008), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-460489
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Bouazra, A.& Nasrallah, S. Abdi-Ben& Said, M.& Poncet, A.. Current Tunnelling in MOS Devices with Al2O3SiO2 Gate Dielectric. Research Letters in Physics. 2008. Vol. 2008, no. 2008, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-460489
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-460489
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر