The Application of Approximate Entropy Theory in Defects Detecting of IGBT Module
المؤلفون المشاركون
Zhou, Shengqi
Luo, Quanming
Wu, Junke
Zhou, Luowei
Sun, Pengju
Liu, Suncheng
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-09-06
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Defect is one of the key factors in reducing the reliability of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) module, so developing the diagnostic method for defects inside the IGBT module is an important measure to avoid catastrophic failure and improves the reliability of power electronic converters.
For this reason, a novel diagnostic method based on the approximate entropy (ApEn) theory is presented in this paper, which can provide statistical diagnosis and allow the operator to replace defective IGBT modules timely.
The proposed method is achieved by analyzing the cross ApEn of the gate voltages before and after the occurring of defects.
Due to the local damage caused by aging, the intrinsic parasitic parameters of packaging materials or silicon chips inside the IGBT module such as parasitic inductances and capacitances may change over time, which will make remarkable variation in the gate voltage.
That is to say the gate voltage is close coupled with the defects.
Therefore, the variation is quantified and used as a precursor parameter to evaluate the health status of the IGBT module.
Experimental results validate the correctness of the proposed method.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Zhou, Shengqi& Zhou, Luowei& Liu, Suncheng& Sun, Pengju& Luo, Quanming& Wu, Junke. 2012. The Application of Approximate Entropy Theory in Defects Detecting of IGBT Module. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462410
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Zhou, Shengqi…[et al.]. The Application of Approximate Entropy Theory in Defects Detecting of IGBT Module. Active and Passive Electronic Components No. 2012 (2012), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462410
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Zhou, Shengqi& Zhou, Luowei& Liu, Suncheng& Sun, Pengju& Luo, Quanming& Wu, Junke. The Application of Approximate Entropy Theory in Defects Detecting of IGBT Module. Active and Passive Electronic Components. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462410
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-462410
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر