Comparative Study of SiO2, Al2O3, and BeO Ultrathin Interfacial Barrier Layers in Si Metal-Oxide-Semiconductor Devices
المؤلفون المشاركون
Bersuker, G.
Yum, J. H.
Oh, J.
Hudnall, Todd. W.
Banerjee, S. K.
Bielawski, C. W.
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-10-17
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
In a previous study, we have demonstrated that beryllium oxide (BeO) film grown by atomic layer deposition (ALD) on Si and III-V MOS devices has excellent electrical and physical characteristics.
In this paper, we compare the electrical characteristics of inserting an ultrathin interfacial barrier layer such as SiO2, Al2O3, or BeO between the HfO2 gate dielectric and Si substrate in metal oxide semiconductor capacitors (MOSCAPs) and n-channel inversion type metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs).
Si MOSCAPs and MOSFETs with a BeO/HfO2 gate stack exhibited high performance and reliability characteristics, including a 34% improvement in drive current, slightly better reduction in subthreshold swing, 42% increase in effective electron mobility at an electric field of 1 MV/cm, slightly low equivalent oxide thickness, less stress-induced flat-band voltage shift, less stress induced leakage current, and less interface charge.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Yum, J. H.& Oh, J.& Hudnall, Todd. W.& Bielawski, C. W.& Bersuker, G.& Banerjee, S. K.. 2012. Comparative Study of SiO2, Al2O3, and BeO Ultrathin Interfacial Barrier Layers in Si Metal-Oxide-Semiconductor Devices. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-465736
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Yum, J. H.…[et al.]. Comparative Study of SiO2, Al2O3, and BeO Ultrathin Interfacial Barrier Layers in Si Metal-Oxide-Semiconductor Devices. Active and Passive Electronic Components No. 2012 (2012), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-465736
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Yum, J. H.& Oh, J.& Hudnall, Todd. W.& Bielawski, C. W.& Bersuker, G.& Banerjee, S. K.. Comparative Study of SiO2, Al2O3, and BeO Ultrathin Interfacial Barrier Layers in Si Metal-Oxide-Semiconductor Devices. Active and Passive Electronic Components. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-465736
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-465736
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر