The Effect of Bandgap Graded Absorber on the Performance of a-Si1–xGex : H Single-Junction Cells with μc-SiOx:H N-Type Layer
المؤلفون المشاركون
Tsai, Chuang-Chuang
Hsu, Hung-Jung
Hsu, Cheng-Hang
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-11-27
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We reported the effect of bandgap grading of absorbers on the performance of a-Si1−xGex:H cells employing μc-SiOx:H n-layer.
The influence of bandgap grading widths extended from the p-layer (the p/i grading) and the n-layer (the i/n grading) to the absorber on the cell performance which were systematically studied.
The p/i grading reduced the interface defects and thus improved the VOC.
The reduced JSC and FF were presumably due to the degraded hole transport by the potential gradient of p/i grading.
Increasing the i/n grading width improved the carrier collection significantly.
The EQE, the JSC, and the FF were improved substantially.
Bias-dependent EQE revealed that the carrier collection is efficient in the cell employing optimal i/n grading.
On the other hand, increasing the i/n grading width was accompanied by the decrease in long-wavelength response which potentially constrained the i/n grading width.
Compared to the cell without grading, the a-Si1−xGex:H cells with optimal p/i and i/n grading width improved the efficiency from 5.5 to 7.5%.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hsu, Hung-Jung& Hsu, Cheng-Hang& Tsai, Chuang-Chuang. 2013. The Effect of Bandgap Graded Absorber on the Performance of a-Si1–xGex : H Single-Junction Cells with μc-SiOx:H N-Type Layer. International Journal of Photoenergy،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-466165
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hsu, Hung-Jung…[et al.]. The Effect of Bandgap Graded Absorber on the Performance of a-Si1–xGex : H Single-Junction Cells with μc-SiOx:H N-Type Layer. International Journal of Photoenergy No. 2013 (2013), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-466165
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hsu, Hung-Jung& Hsu, Cheng-Hang& Tsai, Chuang-Chuang. The Effect of Bandgap Graded Absorber on the Performance of a-Si1–xGex : H Single-Junction Cells with μc-SiOx:H N-Type Layer. International Journal of Photoenergy. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-466165
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-466165
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر