Surface Passivation and Antireflection Behavior of ALD TiO2 on n-Type Silicon for Solar Cells
المؤلفون المشاركون
Yang, Zu-Po
Lin, Chun-Tin
Wang, Yu-Wun
Cheng, Hsyi-En
Yu, Ing-Song
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-11-28
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Atomic layer deposition, a method of excellent step coverage and conformal deposition, was used to deposit TiO2 thin films for the surface passivation and antireflection coating of silicon solar cells.
TiO2 thin films deposited at different temperatures (200°C, 300°C, 400°C, and 500°C) on FZ n-type silicon wafers are in the thickness of 66.4 nm ± 1.1 nm and in the form of self-limiting growth.
For the properties of surface passivation, Si surface is effectively passivated by the 200°C deposition TiO2 thin film.
Its effective minority carrier lifetime, measured by the photoconductance decay method, is improved 133% at the injection level of 1×1015 cm−3.
Depending on different deposition parameters and annealing processes, we can control the crystallinity of TiO2 and find low-temperature TiO2 phase (anatase) better passivation performance than the high-temperature one (rutile), which is consistent with the results of work function measured by Kelvin probe.
In addition, TiO2 thin films on polished Si wafer serve as good ARC layers with refractive index between 2.13 and 2.44 at 632.8 nm.
Weighted average reflectance at AM1.5G reduces more than half after the deposition of TiO2.
Finally, surface passivation and antireflection properties of TiO2 are stable after the cofire process of conventional crystalline Si solar cells.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Yu, Ing-Song& Wang, Yu-Wun& Cheng, Hsyi-En& Yang, Zu-Po& Lin, Chun-Tin. 2013. Surface Passivation and Antireflection Behavior of ALD TiO2 on n-Type Silicon for Solar Cells. International Journal of Photoenergy،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-471761
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Yu, Ing-Song…[et al.]. Surface Passivation and Antireflection Behavior of ALD TiO2 on n-Type Silicon for Solar Cells. International Journal of Photoenergy No. 2013 (2013), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-471761
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Yu, Ing-Song& Wang, Yu-Wun& Cheng, Hsyi-En& Yang, Zu-Po& Lin, Chun-Tin. Surface Passivation and Antireflection Behavior of ALD TiO2 on n-Type Silicon for Solar Cells. International Journal of Photoenergy. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-471761
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-471761
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر