Analysis of Reverse-Bias Leakage Current Mechanisms in MetalGaN Schottky Diodes
المؤلفون المشاركون
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2010، العدد 2010 (31 ديسمبر/كانون الأول 2010)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2010-10-31
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Temperature-dependent reverse-bias current-voltage characteristics obtained by other researchers for Schottky diodes fabricated on GaN are reinterpreted in terms of phonon-assisted tunneling (PhAT) model.
Temperature dependence of reverse-bias leakage current is shown could be caused by the temperature dependence of electron tunneling rate from traps in the metal-semiconductor interface to the conduction band of semiconductor.
A good fit of experimental data with the theory is received in a wide temperature range (from 80 K to 500 K) using for calculation the effective mass of 0.222 me.
and for the phonon energy the value of 70 meV.
The temperature and bias voltages dependences of an apparent barrier height (activation energy) are also explicable in the framework of the PhAT model.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Pipinys, P.& Lapeika, V.. 2010. Analysis of Reverse-Bias Leakage Current Mechanisms in MetalGaN Schottky Diodes. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2010, no. 2010, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-478739
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Pipinys, P.& Lapeika, V.. Analysis of Reverse-Bias Leakage Current Mechanisms in MetalGaN Schottky Diodes. Advances in Condensed Matter Physics No. 2010 (2010), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-478739
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Pipinys, P.& Lapeika, V.. Analysis of Reverse-Bias Leakage Current Mechanisms in MetalGaN Schottky Diodes. Advances in Condensed Matter Physics. 2010. Vol. 2010, no. 2010, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-478739
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-478739
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر