Growth Mechanism of Cubic-Silicon Carbide Nanowires
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2009، العدد 2009 (31 ديسمبر/كانون الأول 2009)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2010-02-11
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
هندسة مدنية
الملخص EN
Cubic-SiC nanowires were synthesized using activated carbon powder and Si substrate in vacuum at 1200–1350°C for 1–4 hours.
The nanowires were grown according to the following proposed mechanisms: (1) diffusion of C/CO into Si substrate, (2) weakening of Si bond and atomic kick-out, (3) formation of Si-C in vapor phase, (4) formation of saturated SiC layer, (5) formation of pyramid-like SiC nanostructure, and (6) formation of SiC nanowires.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Cheong, K. Y.& Lockman, Z.. 2010. Growth Mechanism of Cubic-Silicon Carbide Nanowires. Journal of Nanomaterials،Vol. 2009, no. 2009, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-481811
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Cheong, K. Y.& Lockman, Z.. Growth Mechanism of Cubic-Silicon Carbide Nanowires. Journal of Nanomaterials No. 2009 (2009), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-481811
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Cheong, K. Y.& Lockman, Z.. Growth Mechanism of Cubic-Silicon Carbide Nanowires. Journal of Nanomaterials. 2010. Vol. 2009, no. 2009, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-481811
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-481811
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر