Preparation and study of electrical characteristics of (n-cdsp-ge) thin-film heterojunction
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 27، العدد 09 (31 يوليو/تموز 2009)، ص ص. 1701-1710، 10ص.
الناشر
تاريخ النشر
2009-07-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تم ترسيب غشاء رقيق (5 ± 400) نانومتر من الجرمانيوم على شريحة زجاجية و من ثم ترسيب غشاء رقيق (3 ±200) نانومتر من كبريتيد الكادميوم على غشاء الجرمانيوم مباشرة، و قد أستخدم معدن الألمنيوم العالي النقاوة (%99.999 ) كاتصال أومي على طرفي المفرق الهجين (n-CdS / p-Ge) باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ.
و من خلال قيم عامل المثالية (n) فسرت آلية انتقال التيار في المفرق الهجين حيث ظهرت ثلاث مناطق في منحنى التيار-الفولتيه مما يستدعي وجود ثلاث آليات انتقال للتيار خلال المفرق المصنع في هذا البحث، كما تم إيجاد تيار الإشباع (Is) لكل منطقة و عند درجات حرارية مختلفة (100, 200, 300) كلفن.
من قياسات السعة-الفولتيه فقد تم إيجاد جهد البناء الداخلي (Vbi) و كثافة الشوائب المانحة (ND) و الفرق بين مستوى فيرمي و حافة حزمة التوصيل (nΦ) و الفرق بين مستوى فيرمي و حافة حزمة التكافؤ (pΦ) و اللا استمرارية في حزمتي التوصيل و التكافؤ (ΔEc, ΔEv) وعرض منطقتي النضوب (Xn, Xp) للمفرق المتباين (n-CdS / p-Ge) للترددات (0.5 ,1) ميكاهيرتز.
الملخص EN
A thin film (400 5 nm) of Germanium was deposited on the slide glass, then another thin film (200 3 nm) of Cadmium Sulphide directly deposited on the Ge thin film, with high purity (99.999 %) Aluminum metal was used as O’hmic contact on two sides of heterojunction (n-CdS / p-Ge) by vacuum thermal evaporation technique.
From ideality factor (n) values, the current transporting mechanism in the heterojunction was explained, where three regions in I-V curve were appeared, that is to say, three mechanism of current transportation through the manufactured heterojunction in this research were eventually existed, the saturation current (IS) was found for each region at different temperature (100, 200, 300) K.
Through C-V measurements we found built-in potential (Vbi), the donor density (ND), the difference between Fermi level and conduction band (Φn ), the difference between Fermi level and valance band (Φp), the conduction and valence bands discontinuity ( EC, EV), and the depletion regions width (Xn, Xp) of heterojunction (n- CdS / p-Ge) of the frequencies (1, 0.5) MHz.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hamid, Ahmed Shukr. 2009. Preparation and study of electrical characteristics of (n-cdsp-ge) thin-film heterojunction. Engineering and Technology Journal،Vol. 27, no. 09, pp.1701-1710.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-48660
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hamid, Ahmed Shukr. Preparation and study of electrical characteristics of (n-cdsp-ge) thin-film heterojunction. Engineering and Technology Journal Vol. 27, no. 09 (2009), pp.1701-1710.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-48660
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hamid, Ahmed Shukr. Preparation and study of electrical characteristics of (n-cdsp-ge) thin-film heterojunction. Engineering and Technology Journal. 2009. Vol. 27, no. 09, pp.1701-1710.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-48660
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 1708
رقم السجل
BIM-48660
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر