A Combined Ion ImplantationNanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping
المؤلفون المشاركون
Grimaldi, M. G.
Privitera, V.
Ruffino, F.
Carria, E.
Marabelli, F.
Romano, L.
Miritello, M.
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-02-22
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
الملخص EN
The exploitation of Si nanostructures for electronic and optoelectronic devices depends on their electronic doping.
We investigate a methodology for As doping of Si nanostructures taking advantages of ion beam implantation and nanosecond laser irradiation melting dynamics.
We illustrate the behaviour of As when it is confined, by the implantation technique, in a SiO2/Si/SiO2 multilayer and its spatial redistribution after annealing processes.
As accumulation at the Si/SiO2 interfaces was observed by Rutherford backscattering spectrometry in agreement with a model that assumes a traps distribution in the Si in the first 2-3 nm above the SiO2/Si interfaces.
A concentration of 1014 traps/cm2 has been evaluated.
This result opens perspectives for As doping of Si nanoclusters embedded in SiO2 since a Si nanocluster of radius 1 nm embedded in SiO2 should trap 13 As atoms at the interface.
In order to promote the As incorporation in the nanoclusters for an effective doping, an approach based on ion implantation and nanosecond laser irradiation was investigated.
Si nanoclusters were produced in SiO2 layer.
After As ion implantation and nanosecond laser irradiation, spectroscopic ellipsometry measurements show nanoclusters optical properties consistent with their effective doping.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ruffino, F.& Romano, L.& Carria, E.& Miritello, M.& Grimaldi, M. G.& Privitera, V.…[et al.]. 2012. A Combined Ion ImplantationNanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping. Journal of Nanotechnology،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-486981
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ruffino, F.…[et al.]. A Combined Ion ImplantationNanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping. Journal of Nanotechnology No. 2012 (2012), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-486981
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ruffino, F.& Romano, L.& Carria, E.& Miritello, M.& Grimaldi, M. G.& Privitera, V.…[et al.]. A Combined Ion ImplantationNanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping. Journal of Nanotechnology. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-486981
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-486981
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر