The Charge Transport Properties of a HWCVD a-Si : H Thin Film under Bending Pressure
المؤلفون المشاركون
Boshta, M.
Bärner, K.
Braunstein, R.
Morchshakov, V.
المصدر
Research Letters in Materials Science
العدد
المجلد 2008، العدد 2008 (31 ديسمبر/كانون الأول 2008)، ص ص. 1-4، 4ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2008-03-11
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The transient thermoelectric effects (TTEs) method is used to measure the ambipolar space charge built up in a low-pressure hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) technique a-Si:H layer deposited on a glass substrate.
The stage 2 TTE-transients yield the trap state density difference with and without bending pressure up to 9 bars.
The a-Si:H sample shows a reduction of the negative storage peaks at 0.045 eV and 0.026 eV with increasing pressure, while the positive (hole trap) peak and the zero crossing practically do not change with the pressure.
At the maximum bending pressure, the negative peaks are almost zero and shifted into the band gap or toward the conduction band.
Our result shows that it is necessary to produce and mount hydrogenated thin film solar cell stress-free.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Boshta, M.& Morchshakov, V.& Bärner, K.& Braunstein, R.. 2008. The Charge Transport Properties of a HWCVD a-Si : H Thin Film under Bending Pressure. Research Letters in Materials Science،Vol. 2008, no. 2008, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-487706
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Boshta, M.…[et al.]. The Charge Transport Properties of a HWCVD a-Si : H Thin Film under Bending Pressure. Research Letters in Materials Science No. 2008 (2008), pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-487706
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Boshta, M.& Morchshakov, V.& Bärner, K.& Braunstein, R.. The Charge Transport Properties of a HWCVD a-Si : H Thin Film under Bending Pressure. Research Letters in Materials Science. 2008. Vol. 2008, no. 2008, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-487706
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-487706
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر