Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process
المؤلفون المشاركون
Gao, Bing
Miyamura, Yoshiji
Kangawa, Yoshihiro
Harada, Hirofumi
Nakano, Satoshi
Kakimoto, Koichi
Inoue, Makoto
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-06-20
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We studied the effects of cooling process on the generation of dislocations in multicrystalline silicon grown by the vertical Bridgman process.
From the temperature field obtained by a global model, the stress relaxation and multiplication of dislocations were calculated using the Haasen-Alexander-Sumino model.
It was found that the multiplication of dislocations is higher in fast cooling processes.
It was confirmed that residual stress is low at high temperatures because the movement of the dislocations relaxes the thermal strain, while the residual stress increases with decreasing temperature, because of reduced motion of dislocations and formation of a strain field at lower temperatures.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Inoue, Makoto& Nakano, Satoshi& Harada, Hirofumi& Miyamura, Yoshiji& Gao, Bing& Kangawa, Yoshihiro…[et al.]. 2013. Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process. International Journal of Photoenergy،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-492141
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Inoue, Makoto…[et al.]. Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process. International Journal of Photoenergy No. 2013 (2013), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-492141
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Inoue, Makoto& Nakano, Satoshi& Harada, Hirofumi& Miyamura, Yoshiji& Gao, Bing& Kangawa, Yoshihiro…[et al.]. Numerical Analysis of the Dislocation Density in Multicrystalline Silicon for Solar Cells by the Vertical Bridgman Process. International Journal of Photoenergy. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-492141
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-492141
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر