![](/images/graphics-bg.png)
The effect of thermal annealing on the diffusion profile of nickel in GaAs substrates
العناوين الأخرى
تأثير التلدين الحراري على انتشار النيكل في قواعد الكاليوم ارسنايد
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 27، العدد 05 (30 إبريل/نيسان 2009)، ص ص. 880-885، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2009-04-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث، جرى دراسة أنماط انتشار النيكل في عينات من الكاليوم أرسنايد عند درجة حرارة تلدين C°950.
جرى تحسين الانتشار من خلال إضافة مقادير مختلفة من الأرسنايد، إن ذرات النيكل تنتشر في بادئ الأمر بسبب الحركة البينية لها غير أن عددا كبيرا منها يحتل مواقع استبدالية في الكاليوم أرسنايد المانح.
أجريت القياسات الكهربائية للعينات و قد أوضحت تطابقا جيدا ما بين تراكيز النيكل و تركيز الفجوات التي تعتبر حاملات الشحن الأغلبية في شبه الموصل القابل.
أوضحت القياسات أن التوصيلية الكهربائية للعينات القابلة لم تكن بسبب تسخين المنظومة و إنما بسبب انتشار ذرات النيكل التي تحتل مواقع ذرات الكاليوم.
الملخص EN
Diffusion of nickel in GaAs has been studied at 950º C.
The diffusion was enhanced during limited interval and for different quantities of As.
Nickel atoms had diffused in the beginning due to the interstitial movement of atoms but large number of nickel atoms occupies substantial locations in p-type GaAs lattice.
Measurements performed to the samples have showed good agreement between the nickel atoms concentration and majority charge-carriers in p-type semiconductor (holes).
Measurements explained that electrical conductivity of p-type samples was not due to system heating but to the diffusion of nickel atoms occupying sites of gallium atoms.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hadi, Asil A. K.. 2009. The effect of thermal annealing on the diffusion profile of nickel in GaAs substrates. Engineering and Technology Journal،Vol. 27, no. 05, pp.880-885.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-49560
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hadi, Asil A. K.. The effect of thermal annealing on the diffusion profile of nickel in GaAs substrates. Engineering and Technology Journal Vol. 27, no. 05 (2009), pp.880-885.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-49560
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hadi, Asil A. K.. The effect of thermal annealing on the diffusion profile of nickel in GaAs substrates. Engineering and Technology Journal. 2009. Vol. 27, no. 05, pp.880-885.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-49560
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
IIncludes bibliographical references : p. 882-883
رقم السجل
BIM-49560
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)