Characterization and Modeling of DHBT in InPGaAsSb Technology for the Design and Fabrication of a Ka Band MMIC Oscillator
المؤلفون المشاركون
Nallatamby, J. C.
Prigent, M.
Nodjiadjim, V.
Riet, M.
Laurent, S.
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-15، 15ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-04-02
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
15
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This paper presents the design of an MMIC oscillator operating at a 38 GHz frequency.
This circuit was fabricated by the III–V Lab with the new InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT) submicronic technology (We=700 nm).
The transistor used in the circuit has a 15 μm long two-finger emitter.
This paper describes the complete nonlinear modeling of this DHBT, including the cyclostationary modeling of its low frequency (LF) noise sources.
The specific interest of the methodology used to design this oscillator resides in being able to choose a nonlinear operating condition of the transistor from an analysis in amplifier mode.
The oscillator simulation and measurement results are compared.
A 38 GHz oscillation frequency with 8.6 dBm output power and a phase noise of −80 dBc/Hz at 100 KHz offset from carrier have been measured.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Laurent, S.& Nallatamby, J. C.& Prigent, M.& Riet, M.& Nodjiadjim, V.. 2012. Characterization and Modeling of DHBT in InPGaAsSb Technology for the Design and Fabrication of a Ka Band MMIC Oscillator. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-498896
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Laurent, S.…[et al.]. Characterization and Modeling of DHBT in InPGaAsSb Technology for the Design and Fabrication of a Ka Band MMIC Oscillator. Active and Passive Electronic Components No. 2012 (2012), pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-498896
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Laurent, S.& Nallatamby, J. C.& Prigent, M.& Riet, M.& Nodjiadjim, V.. Characterization and Modeling of DHBT in InPGaAsSb Technology for the Design and Fabrication of a Ka Band MMIC Oscillator. Active and Passive Electronic Components. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-498896
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-498896
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر