Design and Investigation of SSTnc-Si : HM (M = Ag, Au, Ni) and Mnc-Si:HM Multifunctional Devices
المؤلفون المشاركون
Saleh, Z. M.
Qasrawi, A. F.
Assaf, Samah F.
Kmail, Salam M.
المصدر
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-08-07
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Hydrogenated nanocrystalline Silicon thin films prepared by the very high frequency chemical vapor deposition technique (VHF-CVD) on stainless steel (SST) substrates are used to design Schottky point contact barriers for the purpose of solar energy conversion and passive electronic component applications.
In this process, the contact performance between SST and M (M = Ag, Au, and Ni) and between Ag, Au, and Ni electrodes was characterized by means of current-voltage, capacitance-voltage, and light intensity dependence of short circuit (Isc) current and open circuit voltage (Voc) of the contacts.
Particularly, the devices ideality factors, barrier heights were evaluated by the Schottky method and compared to the Cheung's.
Best Schottky device performance with lowest ideality factor suitable for electronic applications was observed in the SST/nc-Si:H/Ag structure.
This device reflects a Voc of 229 mV with an Isc of 1.6 mA/cm2 under an illumination intensity of ~40 klux.
On the other hand, the highest Isc being 9.0 mA/cm2 and the Voc of 53.1 mV were observed for Ni/nc-Si:H/Au structure.
As these voltages represent the maximum biasing voltage for some of the designed devices, the SST/nc-Si:H/M and M/nc-Si:H/M can be regarded as multifunctional self-energy that provided electronic devices suitable for active or passive applications.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Qasrawi, A. F.& Kmail, Salam M.& Assaf, Samah F.& Saleh, Z. M.. 2013. Design and Investigation of SSTnc-Si : HM (M = Ag, Au, Ni) and Mnc-Si:HM Multifunctional Devices. Advances in OptoElectronics،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-499669
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Qasrawi, A. F.…[et al.]. Design and Investigation of SSTnc-Si : HM (M = Ag, Au, Ni) and Mnc-Si:HM Multifunctional Devices. Advances in OptoElectronics No. 2013 (2013), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-499669
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Qasrawi, A. F.& Kmail, Salam M.& Assaf, Samah F.& Saleh, Z. M.. Design and Investigation of SSTnc-Si : HM (M = Ag, Au, Ni) and Mnc-Si:HM Multifunctional Devices. Advances in OptoElectronics. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-499669
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-499669
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر