Temperature-Dependent Physical and Memory Characteristics of Atomic-Layer-Deposited RuOx Metal Nanocrystal Capacitors
المؤلفون المشاركون
Tien, T. C.
Banerjee, W.
Yang, J. R.
Wang, T. Y.
Maikap, S.
المصدر
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-12، 12ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-08-08
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
هندسة مدنية
الملخص EN
Physical and memory characteristics of the atomic-layer-deposited RuOx metal nanocrystal capacitors in an n-Si/SiO2/HfO2/RuOx/Al2O3/Pt structure with different postdeposition annealing temperatures from 850–1000°C have been investigated.
The RuOx metal nanocrystals with an average diameter of 7 nm and a highdensity of 0.7 × 1012/cm2 are observed by high-resolution transmission electron microscopy after a postdeposition annealing temperature at 1000°C.
The density of RuOx nanocrystal is decreased (slightly) by increasing the annealing temperatures, due to agglomeration of multiple nanocrystals.
The RuO3 nanocrystals and Hf-silicate layer at the SiO2/HfO2 interface are confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy.
For post-deposition annealing temperature of 1000°C, the memory capacitors with a small equivalent oxide thickness of ~9 nm possess a large hysteresis memory window of >5 V at a small sweeping gate voltage of ±5 V.
A promising memory window under a small sweeping gate voltage of ~3 V is also observed due to charge trapping in the RuOx metal nanocrystals.
The program/erase mechanism is modified Fowler-Nordheim (F-N) tunneling of the electrons and holes from Si substrate.
The electrons and holes are trapped in the RuOx nanocrystals.
Excellent program/erase endurance of 106 cycles and a large memory window of 4.3 V with a small charge loss of ~23% at 85°C are observed after 10 years of data retention time, due to the deep-level traps in the RuOx nanocrystals.
The memory structure is very promising for future nanoscale nonvolatile memory applications.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Maikap, S.& Banerjee, W.& Tien, T. C.& Wang, T. Y.& Yang, J. R.. 2011. Temperature-Dependent Physical and Memory Characteristics of Atomic-Layer-Deposited RuOx Metal Nanocrystal Capacitors. Journal of Nanomaterials،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-499958
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Maikap, S.…[et al.]. Temperature-Dependent Physical and Memory Characteristics of Atomic-Layer-Deposited RuOx Metal Nanocrystal Capacitors. Journal of Nanomaterials No. 2011 (2011), pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-499958
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Maikap, S.& Banerjee, W.& Tien, T. C.& Wang, T. Y.& Yang, J. R.. Temperature-Dependent Physical and Memory Characteristics of Atomic-Layer-Deposited RuOx Metal Nanocrystal Capacitors. Journal of Nanomaterials. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-499958
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-499958
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر