![](/images/graphics-bg.png)
DC Conduction and Switching Mechanisms in Electroformed AlZnTe : VCu Devices at Atmospheric Pressure
المؤلفون المشاركون
Khan, K. A.
Islam, R.
Hossain, M. S.
المصدر
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-07-07
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Vanadium-doped zinc telluride (ZnTe:V) thin film sandwiched by two different metal electrodes, that is, Al/ZnTe:V/Cu structure, was deposited onto the glass substrate by e-beam deposition technique in vacuum at a pressure of ~8 × 10−4 Pa.
The deposition rate of the film was maintained at 2.052 nms−1.
Circulation current was measured through this device as a function of potential difference applied across the structure.
The Al/ZnTe:V/Cu structures exhibit memory switching characteristics at atmospheric pressure in room temperature.
Switching characteristics of deposited Al/ZnTe:V/Cu structure as a memory device have been investigated in detail for various vanadium compositions, thicknesses of ZnTe:V films as well as various film temperatures, respectively.
In all cases, it is seen that the metal/insulator/metal (Al/ZnTe:V/Cu) structures based on ZnTe:V can undergo an electroforming process and exhibit voltage-controlled negative resistance (VCNR) or a new switching process.
It is also observed that the electric field, temperature, thickness, and dopant composition have important role in the switching characteristics.
Switching characteristics have been interpreted by using a filamentary model.
The switching effects of Al/ZnTe:V/Cu device may have important applications in the energy-oriented devices.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hossain, M. S.& Islam, R.& Khan, K. A.. 2011. DC Conduction and Switching Mechanisms in Electroformed AlZnTe : VCu Devices at Atmospheric Pressure. ISRN Materials Science،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500934
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hossain, M. S.…[et al.]. DC Conduction and Switching Mechanisms in Electroformed AlZnTe : VCu Devices at Atmospheric Pressure. ISRN Materials Science No. 2011 (2011), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500934
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hossain, M. S.& Islam, R.& Khan, K. A.. DC Conduction and Switching Mechanisms in Electroformed AlZnTe : VCu Devices at Atmospheric Pressure. ISRN Materials Science. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500934
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-500934
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)