![](/images/graphics-bg.png)
The Effect of Electron versus Hole Photocurrent on Optoelectric Properties of p+-p-n-n+ Wz-GaN Reach-Through Avalanche Photodiodes
المؤلفون المشاركون
Acharyya, Aritra
Ghosh, Moumita
Mondal, Mangolika
المصدر
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-12، 12ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-03-25
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The authors have made an attempt to investigate the effect of electron versus hole photocurrent on the optoelectric properties of p+-p-n-n+ structured Wurtzite-GaN (Wz-GaN) reach-through avalanche photodiodes (RAPDs).
The photo responsivity and optical gain of the devices are obtained within the wavelength range of 300 to 450 nm using a novel modeling and simulation technique developed by the authors.
Two optical illumination configurations of the device such as Top Mounted (TM) and Flip Chip (FC) are considered for the present study to investigate the optoelectric performance of the device separately due to electron dominated and hole dominated photocurrents, respectively, in the visible-blind ultraviolet (UV) spectrum.
The results show that the peak unity gain responsivity and corresponding optical gain of the device are 555.78 mA W−1 and 9.4144×103, respectively, due to hole dominated photocurrent (i.e., in FC structure); while those are 480.56 mA W−1 and 7.8800×103, respectively, due to electron dominated photocurrent (i.e., in TM structure) at the wavelength of 365 nm and for applied reverse bias of 85 V.
Thus, better optoelectric performance of Wz-GaN RAPDs can be achieved when the photocurrent is made hole dominated by allowing the UV light to be shined on the n+-layer instead of p+-layer of the device.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ghosh, Moumita& Mondal, Mangolika& Acharyya, Aritra. 2013. The Effect of Electron versus Hole Photocurrent on Optoelectric Properties of p+-p-n-n+ Wz-GaN Reach-Through Avalanche Photodiodes. Advances in OptoElectronics،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-502447
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ghosh, Moumita…[et al.]. The Effect of Electron versus Hole Photocurrent on Optoelectric Properties of p+-p-n-n+ Wz-GaN Reach-Through Avalanche Photodiodes. Advances in OptoElectronics No. 2013 (2013), pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-502447
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ghosh, Moumita& Mondal, Mangolika& Acharyya, Aritra. The Effect of Electron versus Hole Photocurrent on Optoelectric Properties of p+-p-n-n+ Wz-GaN Reach-Through Avalanche Photodiodes. Advances in OptoElectronics. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-502447
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-502447
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)