Flat-Top and Stacking-Fault-Free GaAs-Related Nanopillars Grown on Si Substrates
المؤلفون المشاركون
Gotoh, Hideki
Zhang, Guoqiang
Sogawa, Tetsuomi
Tateno, Kouta
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-07-12
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
الملخص EN
The VLS (vapor-liquid-solid) method is one of the promising techniques for growing vertical III-V compound semiconductor nanowires on Si for application to optoelectronic circuits.
Heterostructures grown in the axial direction by the VLS method and in the radial direction by the general layer-by-layer growth method make it possible to fabricate complicated and functional three-dimensional structures in a bottom-up manner.
We can grow some vertical heterostructure nanopillars with flat tops on Si(111) substrates, and we have obtained core-multishell Ga(In)P/GaAs/GaP nanowires with flat tops and their air-gap structures by using selective wet etching.
Simulations indicate that a high-Q factor of over 2000 can be achieved for this air-gap structure.
From the GaAs growth experiments, we found that zincblende GaAs without any stacking faults can be grown after the GaP nanowire growth.
Pillars containing a quantum dot and without stacking faults can be grown by using this method.
We can also obtain flat-top pillars without removing the Au catalysts when using small Au particles.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Tateno, Kouta& Zhang, Guoqiang& Gotoh, Hideki& Sogawa, Tetsuomi. 2011. Flat-Top and Stacking-Fault-Free GaAs-Related Nanopillars Grown on Si Substrates. Journal of Nanotechnology،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-505743
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Tateno, Kouta…[et al.]. Flat-Top and Stacking-Fault-Free GaAs-Related Nanopillars Grown on Si Substrates. Journal of Nanotechnology No. 2012 (2012), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-505743
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Tateno, Kouta& Zhang, Guoqiang& Gotoh, Hideki& Sogawa, Tetsuomi. Flat-Top and Stacking-Fault-Free GaAs-Related Nanopillars Grown on Si Substrates. Journal of Nanotechnology. 2011. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-505743
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-505743
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر