A Substrate-and-Gate Triggering NMOS Device for High ESD Reliability in Deep Submicrometer Technology
المؤلفون المشاركون
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-12-09
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
A substrate-and-gate triggering scheme which utilizes dynamic threshold principle is proposed for an ESD NMOS structure.
This scheme enhances the device reliability performance in terms of higher second breakdown current and both reduced holding voltage/triggering voltage as well as elimination of gate over driven effect.
The simple resistance and RC substrate-and-gate triggering NMOS structure with various resistance/capacitance values totally exhibit superior ESD reliability than the gate-grounded NMOS (GGNMOS) devices by 18~29%.
The substrate-and-gate triggering scheme in combination with special substrate pickup styles also shows excellent enhancement when compared with the GGNMOS cases of the same pickup styles.
The substrate-and-gate triggering NMOS with butting substrate pickup style is better than the general butting case by 28~30%, whereas the substrate-and-gate triggering NMOS with inserted substrate pickup style is 3.5 times superior to the general inserted case.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Huang, Chih-Yao& Chiu, Fu-Chien. 2013. A Substrate-and-Gate Triggering NMOS Device for High ESD Reliability in Deep Submicrometer Technology. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506938
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Huang, Chih-Yao& Chiu, Fu-Chien. A Substrate-and-Gate Triggering NMOS Device for High ESD Reliability in Deep Submicrometer Technology. Advances in Materials Science and Engineering No. 2013 (2013), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506938
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Huang, Chih-Yao& Chiu, Fu-Chien. A Substrate-and-Gate Triggering NMOS Device for High ESD Reliability in Deep Submicrometer Technology. Advances in Materials Science and Engineering. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506938
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-506938
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر