Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2010-08-11
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
هندسة مدنية
الملخص EN
The focus of this paper is on the adsorption of unsaturated hydrocarbon molecules on β-SiC (111) surfaces during diamond film growth.
The CHx and C2Hx molecules have been investigated to obtain a specific insight into absorbing diamond processes on the atomic scale.
Structural and electronic properties of CHx and C2Hx adsorption on the Si- and C-terminated surfaces have been studied by first-principles calculations based on density functional theory (DFT).
From the calculated energetics and geometries, we find that C2Hx adsorption on the Si-terminated surfaces has six possible surface reconstructions.
For the C-terminated surface, there exist eight possible surface reconstructions.
Five surface reconstructions, including CH2 adsorption on the Si- and C-terminated surface, CH–CH2 and CH=CH2 adsorption on the C-terminated surface, and C2H5 adsorption on the Si-terminated surface, have the largest hydrogen adsorption energies and more stability of surface reconstructions.
Calculations demonstrate that the Si-terminated surface is energetically more favorable for fabricating CVD diamond coatings than the C-terminated surface.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chen, Naichao& Sun, Fanghong. 2010. Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations. Journal of Nanomaterials،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507384
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chen, Naichao& Sun, Fanghong. Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations. Journal of Nanomaterials No. 2011 (2011), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507384
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chen, Naichao& Sun, Fanghong. Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations. Journal of Nanomaterials. 2010. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507384
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-507384
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر