![](/images/graphics-bg.png)
Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2010-08-11
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
هندسة مدنية
الملخص EN
The focus of this paper is on the adsorption of unsaturated hydrocarbon molecules on β-SiC (111) surfaces during diamond film growth.
The CHx and C2Hx molecules have been investigated to obtain a specific insight into absorbing diamond processes on the atomic scale.
Structural and electronic properties of CHx and C2Hx adsorption on the Si- and C-terminated surfaces have been studied by first-principles calculations based on density functional theory (DFT).
From the calculated energetics and geometries, we find that C2Hx adsorption on the Si-terminated surfaces has six possible surface reconstructions.
For the C-terminated surface, there exist eight possible surface reconstructions.
Five surface reconstructions, including CH2 adsorption on the Si- and C-terminated surface, CH–CH2 and CH=CH2 adsorption on the C-terminated surface, and C2H5 adsorption on the Si-terminated surface, have the largest hydrogen adsorption energies and more stability of surface reconstructions.
Calculations demonstrate that the Si-terminated surface is energetically more favorable for fabricating CVD diamond coatings than the C-terminated surface.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chen, Naichao& Sun, Fanghong. 2010. Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations. Journal of Nanomaterials،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507384
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chen, Naichao& Sun, Fanghong. Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations. Journal of Nanomaterials No. 2011 (2011), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507384
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chen, Naichao& Sun, Fanghong. Atomic-Level Investigation of CHx and C2Hx Adsorption on β-SiC (111) Surface for CVD Diamond Growth from DFT Calculations. Journal of Nanomaterials. 2010. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507384
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-507384
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)