Behaviour of plasma hydrogenated n-type silicon in aqueous fluoride media

تاريخ النشر

2003-12-31

دولة النشر

الجزائر

عدد الصفحات

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الموضوعات

الملخص AR

في هذا الإطار قمنا بالدراسة الكهركيمياوية للسلسيوم من نوع n المهدرج ببلاسمة الهيدروجين.

لقد كانت الدراسة بدلالة زمن الهدرجة أما طبيعة الدراسة فكانت تحت شروط الظلام حيث تطرقنا في هذا البحث إلى البنية المجهرية لسطح العينات بعد تعرضها لعملية النقل الكهربائي عبر السطح’ و كانت كمون العصابة المستوية أي Vfb و طبيعة الإزاحة لهذه الأخيرة.

قورنت هذه النتائج مع نظيرتها للسيليسيوم غير المهدرج (أي غير المعالج) ؛ فلقد تم اقتراح آلية تفاعل كهركيميائي و الذي من خلاله شرحنا عملية أكسدة السيلسيوم رغم الاستقطاب العكسي له و الذي عادة لا يؤدي إلى أكسدته.

هذا التفاعل كان على المنوال التالي : SiH2 + 2F-att → SiF2 + 2e- + H2 من خلال هذا التفاعل تجري عملية حقن إلكترونين في عصابة النقل لتضمن التنقل الجزيء لإلكترونات و بالتالي الأكسدة ؛ فيحدث عن ذلك التآكل للمادة و التقعر لها.

الملخص EN

In this paper we have investigated the electrochemical behaviour, in the dark, of hydrogenated ntype silicon (n-Si (H)) as function of the plasma hydrogenation duration.

We also study the pore size microstructures and the flat band potential Vfb.

The results are compared with non-hydrogenated n-Si.

To explain this results we had proposed electro- chemical reactionary mechanism, in which one of the species created by the plasma accelerates the oxidation of the silicon even at anodic polarisation.

This reaction is SiH2 + 2F-att ⇒ SiF2 2e- + H2 through it two electrons are injected in the conduction band.

Then we had concluded that the mass loss and porous material formation is seriously affected by the hydrogenation.

الملخص FRE

Dans cet article, nous avons étudié le comportement électrochimique, dans l'obscurité, du silicium de type n hydrogéné n-Si (H)) en fonction de la durée d'hydrogénation du plasma.

Nous étudions également la microstructures de taille de pore et le potentiel de bande plate Vfb.

Les résultats sont comparés au Silicium de même type non hydrogéné.

Pour expliquer ces résultats, nous avons proposé un mécanisme réactionnaire électrochimique, dans lequel une des espèces créée par le plasma, accélère l'oxydation du silicium même sous polarisation anodique.

Cette réaction est SiH2 + 2F-att ⇒ SiF2 + 2e- + H2 où deux électrons sont injectés dans la bande de conduction.

Nous avions conclu que la perte de masse et la formation silicium poreux est sérieusement affectée par l'hydrogénation.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Benhaoua, B.& Kerbache, T.& Chari, A.& Gorochov, O.. 2003. Behaviour of plasma hydrogenated n-type silicon in aqueous fluoride media. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2003, no. 20, pp.51-56.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540575

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Benhaoua, B.…[et al.]. Behaviour of plasma hydrogenated n-type silicon in aqueous fluoride media. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 20 (Dec. 2003), pp.51-56.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540575

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Benhaoua, B.& Kerbache, T.& Chari, A.& Gorochov, O.. Behaviour of plasma hydrogenated n-type silicon in aqueous fluoride media. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2003. Vol. 2003, no. 20, pp.51-56.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540575

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 56

رقم السجل

BIM-540575

حفظتم الحفظ طباعة

قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"

أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي

مرصد "معرفة"
لقياس الإنتاج العلمي العربي

تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر