The heat exchange Intensification in Nano-homo junction semiconductor materials
العناوين الأخرى
تكثيف التبادل الحراري في مواد أشباه الموصلات ذات الوصلة المتجانسة النانوية
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 33، العدد 5B (31 مايو/أيار 2015)، ص ص. 819-829، 11ص.
الناشر
تاريخ النشر
2015-05-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
11
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص EN
In this work, it was examined mechanisms that control internal cooling device (nano-homo junction diode) depending on thermoelectric Peltier effect, resulting in structures that are optimized thermal management.
Peltier coefficient for short-length diode is theoretically investigated.
It is found that the cooling power is governed by the carrier concentration, current density and the ratio of n-type region width to p-type region width.
It has been determined the optimum value of the cooling power at the junction of ZnO in the optimum density at doping symmetrically on a certain value.
The cooling power, temperature difference (temperature between the contact and the junction) and dimensionless figure of merit are found in this material for different thicknesses, then comparing between them.
It has been simulated the homo junction diode using a MATLAB software with numerically calculated the Peltier coefficient for each layer in these diodes.
It has been found that nano-homojunction introduce a significant improvement in the internal cooling performance
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Jubayr, Mahmud Radi. 2015. The heat exchange Intensification in Nano-homo junction semiconductor materials. Engineering and Technology Journal،Vol. 33, no. 5B, pp.819-829.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-655581
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Jubayr, Mahmud Radi. The heat exchange Intensification in Nano-homo junction semiconductor materials. Engineering and Technology Journal Vol. 33, no. 5B (May. 2015), pp.819-829.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-655581
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Jubayr, Mahmud Radi. The heat exchange Intensification in Nano-homo junction semiconductor materials. Engineering and Technology Journal. 2015. Vol. 33, no. 5B, pp.819-829.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-655581
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 827-829
رقم السجل
BIM-655581
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر