Preparation and characterization study of ZnS thin films with different substrate temperatures
العناوين الأخرى
تحضير و تشخيص دراسة اختلاف درجات حرارة قاعدة الأساس على أغشية كبريتيد الزنك الرقيقة
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 34، العدد 1A (31 يناير/كانون الثاني 2016)، ص ص. 178-185، 8ص.
الناشر
تاريخ النشر
2016-01-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص AR
تم ترسيب أغشية مادة كبريتيد الخارصين ZnS الرقيقة على قواعد من الزجاج و شرائح سليكونية من نــوع type-n باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضـــي (PLD) التغير في درجات الحرارة كــــان ضمن المــدى الخواص التركيبية و تركيب السطح و البصرية و كذلك الكھربائية تم دراستھا و التحقق منھا مع تغير درجات الحرارة.
من تحليلات (XRD) تبين أن ھذه الأغشية تمتلك تراكيب من خليط الزنك ذات توجه عالي عند المستوى (111) و ذات أنماط حيود حادة تزداد مع زيادة درجة الحرارة.
أما صور تركيب السطحِ (AFM) الموضحة فقد بينت أن حجم الجسيم لأغشية ZnS المرسبة بطريقة (PLD) عند درجة حرارة 50م و 150 كانت 62.9 نانومتر 74.6 على التوالي.
و خشونة السطح كانت اكبر منه عند درجة 50م.
الأغشية المرسبة عند 200م كانت ذات خصائص بصرية جيدة مع نفاذية عالية نسبيا 80 % ضمن المنطقة المرئية.
لوحظ أن الخواص الكهربائية للأغشية المتكونة تعتمد بشدة على فولتية الانحياز و كمية التيار الناتج الذي يرتبط مباشرة بعد الفوتونات الممتصة.
نتائج (c-v) أثبتت أن الأغشية من النوع الحاد.
الملخص EN
Zinc sulfide (ZnS) thin films were deposited on a glass and n-type Silicon wafer substrates at temperature range from 50 - 200 Co using pulsed laser deposition (PLD) technique.
The structural, morphological, optical and electrical properties of the films have been investigated.
The XRD analyses indicate that ZnS films have zinc blende structures with plane (111) preferential orientation, whereas the diffraction patterns sharpen with the increase in substrate temperatures.
The Atomic Force Microscopy (AFM) Images shows the particle size and surface roughness of the deposited ZnS thin film at substrate temperature 50 and 150 Co were about 62.90nm, 74.68nm respectively.
Also we noticed that the surface roughness is increased at substrate temperature 150 Co compared with temperature 50 Co.
At 200 Co the formed films exhibit a good optical property with 80% transmittance in the visible region.
The electrical properties confirmed that they depend strongly on the bias voltage and the amount of current produced by a photovoltaic device which is directly related to the number of photons absorbed.
C-V results demonstrated that the fabricated heterojunction is of abrupt type.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hubyatir, Kazim Ubayd. 2016. Preparation and characterization study of ZnS thin films with different substrate temperatures. Engineering and Technology Journal،Vol. 34, no. 1A, pp.178-185.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-674046
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hubyatir, Kazim Ubayd. Preparation and characterization study of ZnS thin films with different substrate temperatures. Engineering and Technology Journal Vol. 34, no. 1A (2016), pp.178-185.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-674046
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hubyatir, Kazim Ubayd. Preparation and characterization study of ZnS thin films with different substrate temperatures. Engineering and Technology Journal. 2016. Vol. 34, no. 1A, pp.178-185.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-674046
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 184-185
رقم السجل
BIM-674046
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر