Theoretical comparison between HgCdTe and AlGaAs Heterostructure quantum well laser systems

العناوين الأخرى

مقارنة نظرية بين HgCdTe و AlGaAs لنظامي البئر الكمي الليزري ذوي التركيبين غير المتجانسين

مقدم أطروحة جامعية

al-Zubaydi, Widyan Kazim Abd

مشرف أطروحة جامعية

Salman, Ibtisam Muhammad Taqi

الجامعة

جامعة بغداد

الكلية

كلية التربية للعلوم الصرفة-ابن الهيثم

القسم الأكاديمي

قسم الفيزياء

دولة الجامعة

العراق

الدرجة العلمية

ماجستير

تاريخ الدرجة العلمية

2016

الملخص العربي

هذا البحث يصف مقارنة نظرية بين نظامي Alₒ.₃Gaₒ.₇As/GaAs و Hgₒ.₂Cdₒ.₈Te/Hg₀.₅Cd₀.₅Te لليزر البئر الكمي ذو التركيب غير المتجانس.

حيث تم دراسة تأثير العوامل المختلفة لهذا التركيب مثل عرض البئر وعرض الحاجز للبئر الكمي المفرد والمتعدد على عوامل الليزر مثل عامل التقيد البصري وتيار العتبة وكثافة تيار العتبة والربح البصري وقدرة الخرج والكفاءة .

بالاضافة الى دراسة كثافة الحالات للبئر الكمي.

افضل قيمة لعامل التقييد البصري (0.308) للتركيب Al₀.₃ Gaₒ.₇As/GaAs ذو ثلاثة ابار كمية و (W=21.5nm) و (0.0224) للتركيب Hgₒ.₂Cdₒ.₈Te/Hg₀.₅Cd₀.₅Te ذو خمسة آبار كمية و(W=11.3nm) عامل التقيد له تحسن كبير في التركيب المتعدد الابار افضل من التركيب ذو البئر الكمي المفرد.

وأظهرت النتائج ان عامل التقييد للتركيب المتعدد الابار اكبر منه للبئر الكمي المنفرد بمقدار 18 مرة للتركيب Alₒ.₃ Gaₒ.₇As/GaAs وبمقدار 25 مرة للتركيب .Hgₒ.₂Cdₒ.₈ Te/Hg₀.₅ Cd₀.₅ Te هذا التحقيق لتحسين عمل نبيطة الليزر دايود من خلال تأثير عامل التقييد البصري على الربح وتيار العتبة والقدرة الخارجة والكفاءة تحت الانحياز الامامي في المنطقه الفعالة، كانت كثافة تيار العتبة Jth AlGaAs = 57844/cm2 و Jth HgCaTe = 1327 A/cm2 و كفاءة (%89 لـ (Hgₒ.₂ Cdₒ.₈ Te/Hg₀.₅Cd₀.₅Te 97% Alₒ.₃Gaₒ.₇As/GaAs)

الملخص الإنجليزي

This work is description of theoretical comparison between two systems Hg(f 2^dij QTe/Hgij -Cdij -Te for heterostructure quantum well laser.

Where studied the effects of the variation parameters for this structure such as a well width, barrier width for Single and Multi-Quantum Well, on laser parameters such as optical confinement factor, threshold current, threshold current density, optical gain, output power and efficiency.

In addition we studied the density of states for quantum well.

The optical confinement factor has the best value (0.308) for Altj^GatjjAs/GaAs 3QWs at (Pf=21.5nm) and (0.0224) for Hgiy2Cdiy3Te/Hgiy-Cdiy-Te 5QWs at (Pf=11.3nm).

It introduced a significant improvement in MQW is much higher than SQW for two systems.

The results showed that optical confinement factor of 3QW are much higher (by a factor 18) for and (by a factor 25) for HgQ 2CdQ QTe/HgQ -Cd^ - Te 5QW, from optical confinement factor of SQW.

This investigated for improve the work of laser diode device through the effect of optical confinement factor on the gain, threshold current, output power and efficiency under forward bias in active region, where threshold current density ItkAiGaAs = S7Q4 A/crn^, JthugcdTe = 1^27 Afcw} with efficiency (89%for gGa^^As/GaAs and 97% for ^3o.2Cdo.J^i^3!>.s(^do.sT'^)

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

عدد الصفحات

101

قائمة المحتويات

• APA
• MLA
• AMA

لغة النص

الإنجليزية

نوع البيانات

رسائل جامعية

رقم السجل

BIM-737728