Characterization of n-CdO : Mg p-Si heterojunction dependence on annealing temperature
العناوين الأخرى
اعتماد خصائص المفرق الهجين n-CdO : Mg p-Si على درجة حرارة التلدين
المؤلف
al-Mayyali, Bushra Kazim Hassun
المصدر
Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science
العدد
المجلد 29، العدد 3 (31 ديسمبر/كانون الأول 2016)، ص ص. 14-25، 12ص.
الناشر
جامعة بغداد كلية التربية ابن الهيثم
تاريخ النشر
2016-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص EN
In this research, thin films of CdO : Mg and n-CdO : Mg/ p-Si heterojunction with thickness (500 ± 50) nm have been deposited at R.T (300 K) by thermal evaporation technique.
These samples have been annealed at different annealing temperatures (373 and 473) K for one hour.
Structural, optical and electrical properties of {CdO : Mg (1 %)} films deposited on glass substrate as a function of annealing temperature are studied in detail.
The C-V measurement of n-CdO : Mg / p-Si heterojunction (HJ) at frequency (100 KHz) at different annealing temperatures have shown that these HJ were of abrupt type and the built-in potential (Vbi) increase as the annealing temperature increases.
The I-V characteristics of heterojunction prepared under dark case at different annealing temperatures show that the values of ideality factor and potential barrier height increase with the increase of annealing temperature.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Mayyali, Bushra Kazim Hassun. 2016. Characterization of n-CdO : Mg p-Si heterojunction dependence on annealing temperature. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science،Vol. 29, no. 3, pp.14-25.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-774792
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Mayyali, Bushra Kazim Hassun. Characterization of n-CdO : Mg p-Si heterojunction dependence on annealing temperature. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science Vol. 29, no. 3 (2016), pp.14-25.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-774792
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Mayyali, Bushra Kazim Hassun. Characterization of n-CdO : Mg p-Si heterojunction dependence on annealing temperature. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science. 2016. Vol. 29, no. 3, pp.14-25.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-774792
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendices : p. 20-24
رقم السجل
BIM-774792
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر