Theoretical investigation of δ-doped double barriers GaAs AlGaAs RTDs at varying device geometry and temperature dependence
المؤلفون المشاركون
Singh, Man Mohan
Alvi, P. A.
SadiqI, M. J.
المصدر
Journal of New Technology and Materials
العدد
المجلد 7، العدد 2 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 47-55، 9ص.
الناشر
جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي
تاريخ النشر
2017-12-31
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية والتكنولوجية (متداخلة التخصصات)
الملخص EN
In this article, we proposed a new concept of Si-delta doping in double barrier resonant tunneling diode heterostructure.
The double barrier resonant tunneling diodes (DBRTDs) are investigated through the technique of contact block reduction (CBR) incorporating nonequilibrium Green‟s function (NEGF) of a quantum structure in ballistic limits.
This paper addresses the diverse characteristics of DBRTDs with variation in device parameters like barriers length, doping concentration and spacer layer.
Dependence of operating temperature with the device geometry is also mentioned along with variation of Si-delta doping.
Sharp delta doping of 1nm splits the well in two parts and study of current ratios and current density JP.
Improvement in the performance of this semiconductor device has been utilized by this study with different device parameters.
Furthermore, the comparison of these electrical properties with existing devices provide effective relation of Negative differential resistance (NDR), current ratio, conductance and band gap with device parameters variations which provide abilities of this device to ostentatious the functionality.
Nextnano3 tool provide these characteristics and validate them with experimental research work existing in the literature survey.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Singh, Man Mohan& SadiqI, M. J.& Alvi, P. A.. 2017. Theoretical investigation of δ-doped double barriers GaAs AlGaAs RTDs at varying device geometry and temperature dependence. Journal of New Technology and Materials،Vol. 7, no. 2, pp.47-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-794684
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Singh, Man Mohan…[et al.]. Theoretical investigation of δ-doped double barriers GaAs AlGaAs RTDs at varying device geometry and temperature dependence. Journal of New Technology and Materials Vol. 7, no. 2 (2017), pp.47-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-794684
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Singh, Man Mohan& SadiqI, M. J.& Alvi, P. A.. Theoretical investigation of δ-doped double barriers GaAs AlGaAs RTDs at varying device geometry and temperature dependence. Journal of New Technology and Materials. 2017. Vol. 7, no. 2, pp.47-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-794684
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 54-55
رقم السجل
BIM-794684
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر