Quantum efficiency of A p-υ-n si photodetector
العناوين الأخرى
الكفاءة الكمية للكاشف الضوئي n-υ-p سليكون
المؤلفون المشاركون
Ahmad, Muhammad Shihab
Hashim, Munir Abbud
المصدر
Journal of Engineering and Development
العدد
المجلد 19، العدد 6 (30 نوفمبر/تشرين الثاني 2015)، ص ص. 130-143، 14ص.
الناشر
الجامعة المستنصرية كلية الهندسة
تاريخ النشر
2015-11-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
14
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية والتكنولوجية (متداخلة التخصصات)
الملخص EN
The quantum efficiency of a silicon p-υ-n photodetector is present.
The analysis to obtain the quantum efficiency takes a uniform doping concentration in each layer into consideration.
The theoretical treatment aims to investigate the effect of device parameters on the efficiency.
Three different cases of the incident light wavelengths have been considered; short wavelengths, medium wavelengths, and long wavelengths.
There is no wavelength range between them, but when the most of the incident light (about 63% or more) absorbed near the surface, it is called short wavelength, and when most of the light absorbed in υ-layer, it is called medium wavelength else called long wavelength.A high quantum efficiency at the wavelength of interest, combine with its low operating voltage and capability, make this detector a promising for use in communication systems and computer interconnections.High speed silicon p-υ-n photodetector operates at 700 nmwavelength is reported.
By using a reverse bias voltage to control υ-layer width, a high quantum efficiency of 80% is attained corresponding to υ-layer width of 5.36 m and biasing voltage of 2.182 V.The results showed that the quantum efficiency is directly proportional to the width of the υ-layer and biasing voltage.
The results are achieved with the aid of MATLAB programming tool version 8.1.0.604 R2013a.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ahmad, Muhammad Shihab& Hashim, Munir Abbud. 2015. Quantum efficiency of A p-υ-n si photodetector. Journal of Engineering and Development،Vol. 19, no. 6, pp.130-143.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-830316
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ahmad, Muhammad Shihab& Hashim, Munir Abbud. Quantum efficiency of A p-υ-n si photodetector. Journal of Engineering and Development Vol. 19, no. 6 (Nov. 2015), pp.130-143.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-830316
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ahmad, Muhammad Shihab& Hashim, Munir Abbud. Quantum efficiency of A p-υ-n si photodetector. Journal of Engineering and Development. 2015. Vol. 19, no. 6, pp.130-143.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-830316
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
رقم السجل
BIM-830316
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر