![](/images/graphics-bg.png)
I-V characteristics of InGaP GaAs solar cell with the presence of a back surface field and a tunnel junction
المؤلفون المشاركون
Djaafar, Fatihah
Baghdad, Hadri
Bashir, Ghalim
المصدر
العدد
المجلد 14، العدد 2 (30 يونيو/حزيران 2018)، ص ص. 64-76، 13ص.
الناشر
تاريخ النشر
2018-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
13
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية والتكنولوجية (متداخلة التخصصات)
الملخص EN
The high efficiency solar cells are based on semi conductor technology.
A tandem solar cell is simulated using the solar simulator Tcad silvaco.
In this work, we aim to model the dual junction InGaP/GaAs solar cell with a single back surface field (BSF) to extract the main influence of this layer as well as the tunnel junction on the characteristics I-V.
The considered InGaP/GaAs cell is composed of two BSFs InAlAsP BSF for the InGaP cell and AlGaAs BSF for the GaAs cell.
The top cell (InGaP) and the bottom cell (GaAs are separated by an InGaP/InGaP tunnel junction (TJ) with the same doping concentration for both the emitter and the base.
In a first stage, the InGaP\GaAs cell is simulated without both BSFs, then without the tunnel junction.
We noticed an efficiency of 17.80% and 10.98% respectively.
Finally; the InGaP/GaAs cell is simulated with both BSFs and the tunnel junction.
We have obtained an I-V characteristics with an optimum conversion efficiency =34.44%, an opencircuit voltage (VOC) of 2.62V and a short circuit current density (JSC) 14.49mA/cm2.
The simulation respects the standard conditions AM1.5G illumination and a temperature of 300K.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Djaafar, Fatihah& Baghdad, Hadri& Bashir, Ghalim. 2018. I-V characteristics of InGaP GaAs solar cell with the presence of a back surface field and a tunnel junction. Journal of Electrical Systems،Vol. 14, no. 2, pp.64-76.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-835164
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Djaafar, Fatihah…[et al.]. I-V characteristics of InGaP GaAs solar cell with the presence of a back surface field and a tunnel junction. Journal of Electrical Systems Vol. 14, no. 2 (2018), pp.64-76.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-835164
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Djaafar, Fatihah& Baghdad, Hadri& Bashir, Ghalim. I-V characteristics of InGaP GaAs solar cell with the presence of a back surface field and a tunnel junction. Journal of Electrical Systems. 2018. Vol. 14, no. 2, pp.64-76.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-835164
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 75-76
رقم السجل
BIM-835164
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)