High-quality aligned GaNZnO nanowires grown by thermal evaporation for Uv detector application
العناوين الأخرى
النانووواير عالي الجودة للكاليوم نترايد زنك اوكسايد و المحضر بطريقه التبخير الحراري لتطبيقات كواشف الأشعه الفوق البنفسجيه
المؤلف
المصدر
العدد
المجلد 9، العدد 1 (30 يونيو/حزيران 2017)، ص ص. 97-104، 8ص.
الناشر
جامعة الكوفة كلية العلوم قسم الفيزياء
تاريخ النشر
2017-06-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Gallium nitride (GaN) nanowires (NWs) were grown on Zinc oxide/silicon (ZnO/Si) (1 substrate(100) by thermal evaporation method.
The magnetron sputtering technique was used to deposit ZnO thin film.
High-density nanostructured GaN was formed as shown in the scanning electron microscopy image.
X-ray diffraction showed that ZnO/Si and GaN films had a hexagonal wurtzite structure.
Photoluminescence (PL) of ZnO/Si showed strong peak at 382.84 nm (3.23 eV),while PL of GaN/ZnO/Si NWs exhibited a strong band-edge emission at approximately 338.94 nm (3.65 eV), which belongs to GaN NWs.
Broadening of the energy bandgap compared with the growth of GaN (3.45 eV) could have occurred because of nanocrystalline structure quantum confinement effects.
Raman spectrum of ZnO/Si nanocrystalline thin films showed a band located at 579 cm−1 that can correspond to the A1(TO) mode.
Furthermore, the Raman bands at approximately 520 cm−1 correspond to the first-order transverse optical (1TO) mode of the c-Si substrate.
For GaN/ZnO/Si NWs, Raman-active optical phonons are assigned to 568 cm−1 because of E2 (high).
The I–V characteristics of GaN/ZnO/Si indicated the excellent ultraviolet photoresponse.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Abd al-Ghafur, Ismat Ramzi. 2017. High-quality aligned GaNZnO nanowires grown by thermal evaporation for Uv detector application. Journal of Kufa-Physics،Vol. 9, no. 1, pp.97-104.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-840434
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Abd al-Ghafur, Ismat Ramzi. High-quality aligned GaNZnO nanowires grown by thermal evaporation for Uv detector application. Journal of Kufa-Physics Vol. 9, no. 1 (2017), pp.97-104.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-840434
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Abd al-Ghafur, Ismat Ramzi. High-quality aligned GaNZnO nanowires grown by thermal evaporation for Uv detector application. Journal of Kufa-Physics. 2017. Vol. 9, no. 1, pp.97-104.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-840434
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 102-104
رقم السجل
BIM-840434
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر