Fabrication and characterization of palladium-doped zinc oxide thin films and its application as extended-gate field-effect transistor PH sensor
العناوين الأخرى
تصنيع و دراسة خصائص أغشية أوكسيد الزنك الرقيقة و المشوبة بالبلاديوم و تطبيقاتها في متحسس لتركيز الهيدروجين من نوع ترانزستور تأثير المجال ممدود البوابة
المؤلفون المشاركون
Zahir, Rad Hamdan
Ali, Ghusun Muhsin
Abd al-Latif, Ali Azzam
المصدر
Journal of Engineering and Development
العدد
المجلد 20، العدد 1 (31 يناير/كانون الثاني 2016)، ص ص. 164-177، 14ص.
الناشر
الجامعة المستنصرية كلية الهندسة
تاريخ النشر
2016-01-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
14
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية والتكنولوجية (متداخلة التخصصات)
الملخص EN
This work presents the fabrication, characterization and performance analysis of Zinc Oxide (ZnO) and Palladium doped Zinc Oxide (Pd-ZnO) thin films based Extended-Gate Field-Effect Transistor (EGFET) pH sensor.
The Pd-doped ZnO thin films with different molar concentrations (Pd = 0%, 2% and 4%) were deposited onto p-type Si<111> substrate by sol-gel method.
The EGFET pH-sensor has been prepared by linking the fabricated sensing devices to the gate terminal of a commercial Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET CD4007UB).
The fabricated sensing devices were immersed in buffer solutions with pH range of (pH 3 ‒ pH 11).
The pH sensing characteristics of ZnO and Pd-ZnO/silicon EGFET devices were studied using Semiconductor Characterization System (SCS-Keithley 4200).
The undoped ZnO EGFET sensor exhibits current sensitivity and linearity of 46.17 µA/pH and 97.81% with pH range of (pH 3 - pH 11) and the current sensitivity and linearity of Pd-doped ZnO (with 4% molar concentration of Pd) EGFET sensor with pH range of (pH 5 - pH 11) are 44 and 96.22%, respectively
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Zahir, Rad Hamdan& Ali, Ghusun Muhsin& Abd al-Latif, Ali Azzam. 2016. Fabrication and characterization of palladium-doped zinc oxide thin films and its application as extended-gate field-effect transistor PH sensor. Journal of Engineering and Development،Vol. 20, no. 1, pp.164-177.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-848407
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Zahir, Rad Hamdan…[et al.]. Fabrication and characterization of palladium-doped zinc oxide thin films and its application as extended-gate field-effect transistor PH sensor. Journal of Engineering and Development Vol. 20, no. 1 (Jan. 2016), pp.164-177.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-848407
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Zahir, Rad Hamdan& Ali, Ghusun Muhsin& Abd al-Latif, Ali Azzam. Fabrication and characterization of palladium-doped zinc oxide thin films and its application as extended-gate field-effect transistor PH sensor. Journal of Engineering and Development. 2016. Vol. 20, no. 1, pp.164-177.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-848407
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
رقم السجل
BIM-848407
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر