![](/images/graphics-bg.png)
Comparison between horizontal and vertical OFETs by using poly (3-Hexylthiophene) (P3HT) as an active semiconductor layer
العناوين الأخرى
مقارنه بين ترانزستور تأثير المجال العضوي العمودي و الأفقي باستخدام بولي الثايوفين كطبقة شبه موصل فعال
المؤلفون المشاركون
Abd Allah, Istabraq Talib
Muhammad, Bushra Husayn
المصدر
العدد
المجلد 61، العدد 5 (31 مايو/أيار 2020)، ص ص. 1040-1050، 11ص.
الناشر
تاريخ النشر
2020-05-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
11
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
In this paper, a comparison between horizontal and vertical OFET of Poly (3-Hexylthiophene) (P3HT) as an active semiconductor layer (p-type) was studied by using two different gate insulators (ZrO2 and PVA).
The electrical performance output (Id-Vd) and transfer (Id-Vg) characteristics were investigated using the gradual-channel approximation model.
The device shows a typical output curve of a field-effect transistor (FET).
The analysis of electrical characterization was performed in order to investigate the source-drain voltage (Vd) dependent current and the effects of gate dielectric on the electrical performance of the OFET.
This work also considered the effects of the capacitance semiconductor on the performance OFETs.
The values of current, as calculated using MATLAB simulation, exhibited an increase with increasing source-drain voltage.
Also, the organic transistor modeling software was used to evaluate the transconductance calculated.
The best results for the vertical OFET were achieved using the gate insulators of ZrO2.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Muhammad, Bushra Husayn& Abd Allah, Istabraq Talib. 2020. Comparison between horizontal and vertical OFETs by using poly (3-Hexylthiophene) (P3HT) as an active semiconductor layer. Iraqi Journal of Science،Vol. 61, no. 5, pp.1040-1050.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-970214
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Muhammad, Bushra Husayn& Abd Allah, Istabraq Talib. Comparison between horizontal and vertical OFETs by using poly (3-Hexylthiophene) (P3HT) as an active semiconductor layer. Iraqi Journal of Science Vol. 61, no. 5 (2020), pp.1040-1050.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-970214
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Muhammad, Bushra Husayn& Abd Allah, Istabraq Talib. Comparison between horizontal and vertical OFETs by using poly (3-Hexylthiophene) (P3HT) as an active semiconductor layer. Iraqi Journal of Science. 2020. Vol. 61, no. 5, pp.1040-1050.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-970214
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Text in English ; abstracts in English and Arabic.
رقم السجل
BIM-970214
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)